[发明专利]功率因数改善转换器、以及,具备功率因数改善转换器的电源装置在审
申请号: | 201480081267.6 | 申请日: | 2014-08-29 |
公开(公告)号: | CN106716812A | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 芳贺浩之 | 申请(专利权)人: | 新电元工业株式会社 |
主分类号: | H02M7/12 | 分类号: | H02M7/12 |
代理公司: | 上海德昭知识产权代理有限公司31204 | 代理人: | 郁旦蓉 |
地址: | 日本国东京都千*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 功率因数 改善 转换器 以及 具备 电源 装置 | ||
技术领域
本发明涉及将多电平(Multilevel Power)转换器技术适用于非绝缘型的功率因数改善转换器,特别是,与级联多电平(Cascade Multicell)型的多电平转换器相关。
背景技术
以往,作为功率因数改善转换器,采用升压斩波电路的方式已被普遍知晓。图15中展示此种方式的电路图,二极管(Diode)21、二极管22、二极管23、以及二极管24被桥(Bridge)接,作为输入连接有交流电流1,作为输出连接有阻流器(Chock)2与MOSFET37的串联电路。MOFET37的源极·漏极之间连接有二极管25与电容器(Condenser)54的串联电路,电容器54的两端连接有负载3。
该功率因数改善转换器由于是将来自阻流器2的电流通过未图示的滤波器(Filter)去除了高频成分后的电流作为输入电流,因此通过控制阻流器2的电流的低频成分使其与交流电源1的电压的波形相似,从而使其具备功率因数改善功能。
阻流器2的电流可以通过MOSFET37的开关(On Off)来控制。由于MOSFET37一单开启则MOSFET37的电压归零(Zero)、MOSFET37一旦关闭则二极管25导通,所以MOSFET37的电压就会与电容器54的电压,即,输出电压相等。
因此,图15中着眼于阻流器2的电压变化的等价电路则成为了图16中图示的电路。此处,可变电压源4将Vo作为输出电压并且具有±mVo的值。M具有0或1的值,交流电源1的电压为正则符号为+(Plus),交流电源1的电压为负则符号为-(Minus)。不过,将交流电源1上侧的电位高于下侧的电位的状态作为正电压,反之则作为负电压。
由于该电路为升压斩波电路,因此是以输出电压高于输入电压为前提的。所以,当m=0,即,MOSFET37一旦开启则阻流器2的电流就会增大,当m=1,即,MOSFET37一旦关闭则阻流器2的电流就会减小。通过控制该开关比就能能够控制阻流器2的电流,从而就能够控制功率因数改善转换器的输入电流使其与交流电源1的电压的波形相似。
另一方面,作为实现与上述电路同等运作的电路,图17中的电路也已被普遍知晓。此处,如将与图15中图示的电路相同的元件使用相同的记号进行标示,则,MOSFET38、MOSFET39、MOSFET40、以及MOSFET41被桥接,作为输入经由阻流器电容器54,电容器54的两端连接有负载3。
在图17中图示的电路中,很显然一旦所有的MOSFET开启就会等同于图16中图示的电路中m=0的状态。另外,一旦所有的MOSFET关闭,则由各MOSFET的体二极管(Body Diode)构成桥式整流(Bridge Diode),因其整流作用,就会等同于图16中图示的电路中m=1的状态。因此,与图15中图示的电路同样的,也能够使图17中图示的电路作为功率因数改善转换器发挥作用。
另外,MOSFET38、MOSFET39、MOSFET40、以及MOSFET41中的两个能够替换为二极管,图18、图19中的电路也已被众所周知。
在图18中图示的电路中,很显然一旦MOSFET40和MOSFET41开启就会等同于图16中图示的电路中m=0的状态。另外,一旦MOSFET40和MOSFET41关闭,则由二极管26和二极管27、MOSFET40的体二极管、以及MOSFET41的体二极管构成桥式整流,因其整流作用,就会等同于图16中图示的电路中m=1的状态。因此,与图15中图示的电路同样的,也能够使图18中图示的电路作为功率因数改善转换器发挥作用。
在图19中图示的电路中,交流电源1为正电压时一旦MOSFET39开启,则电流就会以阻流器2、二极管26、MOSFET39的路径流通,从而成为等同于图16中图示的电路中m=0的状态。另外,交流电源1为负电压时一旦MOSFET41开启,则电流就会以MOSFET41、二极管28、阻流器2的路径流通,从而成为等同于图16中图示的电路中m=0的状态。另外,一旦MOSFET39和MOSFET41关闭,则由二极管26和二极管28、MOSFET39的体二极管、以及MOSFET41的体二极管构成桥式整流,因其整流作用,就会等同于图16中图示的电路中m=1的状态。因此,与图15中图示的电路同样的,也能够使图19中图示的电路作为功率因数改善转换器发挥作用。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新电元工业株式会社,未经新电元工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480081267.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电子设备
- 下一篇:陶瓷壳体组件及其加工工艺、电子设备