[发明专利]分析方法、分析装置及分析程序有效

专利信息
申请号: 201480081466.7 申请日: 2014-08-29
公开(公告)号: CN106796174B 公开(公告)日: 2019-06-14
发明(设计)人: 野口道子;尾崎光男;臼井康博 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: G01N21/35 分类号: G01N21/35;G01N21/65
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 苗堃;金世煜
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 分析 方法 装置 程序
【权利要求书】:

1.一种分析方法,其特征在于,包括如下工序:

准备将第1邻苯二甲酸酯和第2邻苯二甲酸酯分别附着于一对第1基底膜和第2基底膜,使所述第1邻苯二甲酸酯和所述第2邻苯二甲酸酯成为彼此不同的状态的第1试样和第2试样的工序,

对所述第1试样和所述第2试样分别照射电磁波,取得第1光谱和第2光谱的工序,

其中,所述第1邻苯二甲酸酯和所述第2邻苯二甲酸酯的所述不同状态,是因通过将所述第1邻苯二甲酸酯和所述第2邻苯二甲酸酯附着于所述第1基底膜和所述第2基底膜而成为与单体不同的状态以及相对于所述第1基底膜和所述第2基底膜的吸收的状态为不同而产生的。

2.根据权利要求1所述的分析方法,其特征在于,准备所述第1试样和所述第2试样的工序中,准备所述第1邻苯二甲酸酯被吸收于所述第1基底膜的内部的状态的所述第1试样和所述第2邻苯二甲酸酯残留于所述第2基底膜的表面的状态的所述第2试样。

3.根据权利要求1所述的分析方法,其特征在于,包括如下工序:

准备第3试样的工序,所述第3试样是将判定与所述第1邻苯二甲酸酯或所述第2邻苯二甲酸酯的一致性的判定对象物质附着于与所述第1基底膜和所述第2基底膜同种的第3基底膜而成的,

对所述第3试样照射电磁波而取得第3光谱的工序,

使用所述第1光谱、所述第2光谱及所述第3光谱来判定所述判定对象物质的、与所述第1邻苯二甲酸酯或所述第2邻苯二甲酸酯的一致性的工序。

4.根据权利要求3所述的分析方法,其特征在于,判定所述一致性的工序包括如下工序:

使用各基准线和通用的基准峰位置的强度,对所述第1光谱、所述第2光谱以及所述第3光谱进行标准化的工序,

生成已标准化的所述第1光谱与所述第2光谱的具有强度差的彼此的第1峰位置的强度的第1中间值的工序,

判定已标准化的所述第3光谱的所述第1峰位置的强度的相对于所述第1中间值的大小的工序,

基于相对于所述第1中间值的大小,判定所述判定对象物质的所述一致性的工序。

5.根据权利要求4所述的分析方法,其特征在于,判定所述一致性的工序进一步包括:

生成已标准化的所述第1光谱和所述第2光谱的具有强度差的彼此的第2峰位置的强度的第2中间值的工序,

判定已标准化的所述第3光谱的所述第2峰位置的强度的相对于所述第2中间值的大小的工序,

基于相对于所述第1中间值的大小和相对于所述第2中间值的大小,判定所述判定对象物质的所述一致性的工序。

6.根据权利要求3~5中任一项所述的分析方法,其特征在于,取得所述第1光谱、所述第2光谱以及所述第3光谱的工序包括如下工序:

将分别对所述第1试样、所述第2试样以及所述第3试样照射电磁波而测定的光谱群与对所述第1基底膜或所述第2基底膜照射电磁波而测定的空白光谱的差示光谱群,分别作为所述第1光谱、所述第2光谱以及所述第3光谱而取得的工序。

7.根据权利要求3~5中任一项所述的分析方法,其特征在于,准备所述第3试样的工序包括如下工序:

使对含有所述判定对象物质的第4试样进行加热而生成的所述判定对象物质的蒸汽附着于所述第3基底膜的工序。

8.一种分析装置,其特征在于,包括:

取得第1光谱和第2光谱的第1取得部,所述第1光谱和第2光谱是对将第1邻苯二甲酸酯和第2邻苯二甲酸酯分别附着于一对第1基底膜和第2基底膜并使所述第1邻苯二甲酸酯和所述第2邻苯二甲酸酯成为彼此不同的状态的第1试样和第2试样分别照射电磁波而测定的,

取得第3光谱的第2取得部,所述第3光谱是对将判定与所述第1邻苯二甲酸酯或所述第2邻苯二甲酸酯的一致性的判定对象物质附着于与所述第1基底膜和所述第2基底膜同种的第3基底膜的第3试样照射电磁波而测定的,

第1判定部,使用由所述第1取得部取得的所述第1光谱和所述第2光谱以及由所述第2取得部取得的所述第3光谱来判定所述判定对象物质的、与所述第1邻苯二甲酸酯或所述第2邻苯二甲酸酯的一致性。

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