[发明专利]DC-DC转换器在审

专利信息
申请号: 201480081694.4 申请日: 2014-09-01
公开(公告)号: CN106664014A 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: 和田文雄;山内宏哉 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H02M3/155 分类号: H02M3/155
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 代理人: 何立波,张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: dc 转换器
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种DC-DC转换器。

背景技术

当前,所谓的同步整流型DC-DC转换器被广泛使用,该同步整流型DC-DC转换器构成为,进行使串联连接的2个半导体开关元件交替地通断的驱动,与此同时,通过电感器及电容器对由此产生的交流成分进行平滑。

例如专利文献1所公开的同步整流型DC-DC转换器在电气负载较高的情况下驱动低电位侧的开关元件而进行同步整流,在电气负载低的情况下不驱动低电位侧的开关元件,由与之并联连接的二极管进行非同步整流(二极管整流)。根据上述技术,能够实现电流变换效率的提高。

专利文献1:日本特开2006-296186号公报

发明内容

但是,在当前技术中,不论工作周围温度如何,都是仅与电气负载相应地进行同步/非同步的切换,因此在实际使用上存在变换效率不一定提高这一问题。特别地,将硅等作为原材料的半导体元件存在下述问题,即,由于在高温时电气损耗变大,因此变换效率显著下降。

因此,本发明就是鉴于上述问题而提出的,其目的在于提供一种不论工作周围温度如何都能够提高变换效率的技术。

本发明所涉及的DC-DC转换器具有:高电位侧的开关元件及低电位侧的开关元件;驱动部,其驱动所述高电位侧的开关元件及所述低电位侧的开关元件而进行同步整流;续流二极管,其与所述低电位侧的开关元件并联连接;以及温度检测部,其对所述续流二极管的温度进行检测。所述驱动部在由所述温度检测部检测出的温度小于或等于预先确定的第1阈值的情况下将所述低电位侧的开关元件的驱动停止。

发明的效果

根据本发明,不论工作周围温度如何都能够提高DC-DC转换器的变换效率。

通过以下的详细说明和附图,使得本发明的目的、特征、方式以及优点更清楚。

附图说明

图1是表示实施方式1所涉及的DC-DC转换器的结构的电路图。

图2是表示实施方式1所涉及的DC-DC转换器的驱动方式的图。

图3是表示实施方式2所涉及的DC-DC转换器的结构的电路图。

图4是表示实施方式3所涉及的DC-DC转换器的结构的电路图。

图5是表示实施方式3的变形例所涉及的DC-DC转换器的结构的电路图。

具体实施方式

<实施方式1>

图1是表示本发明的实施方式1所涉及的DC-DC转换器的结构的电路图。在图1中示出降压转换器作为DC-DC转换器的一个例子,其中,该降压转换器输出比被输入的直流电压低的直流电压。

图1的DC-DC转换器具有:高电位侧的开关元件1;低电位侧的开关元件2;二极管1a;二极管2a;续流二极管3;电感器4;电容器5;温度检测电路11;基准电压源12a;比较器12b;以及驱动电路12c。

开关元件1、2串联连接于高电位(Vin)和低电位(接地电位)之间。开关元件1的漏极与高电位连接,开关元件1的源极与开关元件2的漏极连接,开关元件2的源极与低电位连接。此外,在图1中,应用n沟道MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)作为开关元件1、2,但不限于此。

二极管1a的阴极与开关元件1的漏极连接,二极管1a的阳极与开关元件1的源极连接。同样地,二极管2a的阴极与开关元件2的漏极连接,二极管2a的阳极与开关元件2的源极连接。

与二极管2a同样地,续流二极管3与开关元件2并联连接。即,续流二极管3的阴极与开关元件2的漏极连接,续流二极管3的阳极与开关元件2的源极连接。此外,例如应用肖特基势垒二极管作为续流二极管3。

电感器4的一端与开关元件1的源极及开关元件2的漏极连接,电感器4的另一端成为DC-DC转换器的输出端。

电容器5的一端与电感器4的另一端连接,电容器5的另一端与接地电位连接。

温度检测电路11(温度检测部)对续流二极管3的温度进行检测,将与该温度相对应的电压Vt输出至比较器12b。温度检测电路11例如包含半导体元件、热敏电阻以及热电偶等温度-电压变换器。该温度-电压变换器例如配置(搭载)于续流二极管3附近或者其所在芯片,能够输出与周边温度相应的电压。

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