[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有：

多个第1自消弧元件，它们彼此串联连接，具有控制端子及多个主电极端子；以及

钳位单元，其分别与所述多个第1自消弧元件连接，在所述第1自消弧元件断开时将所述第1自消弧元件的主电极端子间电压钳位至钳位电压，该钳位电压规定为小于或等于所述第1自消弧元件所具有的静态耐压的70％，

所述钳位单元包含钳位用自消弧元件，该钳位用自消弧元件具有第1端子、第2端子、以及用于对所述第1、2端子进行通断的第3端子，该钳位用自消弧元件以下述方式插入至所述主电极端子和所述控制端子之间，即，所述第1端子与所述主电极端子侧连接，将所述第2端子与所述控制端子侧连接，

所述钳位用自消弧元件进行自钳位的电压是所述第1自消弧元件的静态耐压的50％～70％。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述多个第1自消弧元件中的大于或等于2个自消弧元件构成第1桥臂，所述多个第1自消弧元件中的其他的大于或等于2个自消弧元件构成第2桥臂，所述第1桥臂及所述第2桥臂彼此串联连接而构成1个支路，

所述钳位单元设置于所述第1桥臂及所述第2桥臂各自的所述第1自消弧元件，

所述半导体装置具有将多个所述支路进行了并联连接的逆变器电路。

3.一种半导体装置，其具有：

多个第1自消弧元件，它们彼此串联连接，具有控制端子及多个主电极端子；以及

钳位单元，其分别与所述多个第1自消弧元件连接，在所述第1自消弧元件断开时将所述第1自消弧元件的主电极端子间电压钳位至钳位电压，该钳位电压规定为小于或等于所述第1自消弧元件所具有的静态耐压的70％，

所述钳位单元包含分别与所述第1自消弧元件并联连接且具有自钳位功能的第2自消弧元件，

所述第2自消弧元件在规定为小于或等于所述第1自消弧元件所具有的静态耐压的70％的钳位电压时使钳位功能起作用，

所述第2自消弧元件与所述第1自消弧元件相比导通电阻更高。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述第2自消弧元件是SiC半导体元件。

5.根据权利要求3或4所述的半导体装置，其中，

所述多个第1自消弧元件中的大于或等于2个自消弧元件构成第1桥臂，所述多个第1自消弧元件中的其他的大于或等于2个自消弧元件构成第2桥臂，所述第1桥臂及所述第2桥臂彼此串联连接而构成1个支路，

所述钳位单元设置于所述第1桥臂及所述第2桥臂各自的所述第1自消弧元件，

所述半导体装置具有将多个所述支路进行了并联连接的逆变器电路。

6.一种半导体装置，其具有：

多个第1自消弧元件，它们彼此串联连接，具有控制端子及多个主电极端子；以及

钳位单元，其分别与所述多个第1自消弧元件连接，在所述第1自消弧元件断开时将所述第1自消弧元件的主电极端子间电压钳位至钳位电压，该钳位电压规定为小于或等于所述第1自消弧元件所具有的静态耐压的70％，

所述钳位单元包含分别与所述第1自消弧元件并联连接且具有自钳位功能的肖特基势垒二极管，

所述肖特基势垒二极管在规定为小于或等于所述第1自消弧元件所具有的静态耐压的70％的钳位电压时使钳位功能起作用，

所述肖特基势垒二极管与所述第1自消弧元件相比导通电阻更高。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述多个第1自消弧元件中的大于或等于2个自消弧元件构成第1桥臂，所述多个第1自消弧元件中的其他的大于或等于2个自消弧元件构成第2桥臂，所述第1桥臂及所述第2桥臂彼此串联连接而构成1个支路，

所述钳位单元设置于所述第1桥臂及所述第2桥臂各自的所述第1自消弧元件，

所述半导体装置具有将多个所述支路进行了并联连接的逆变器电路。