[发明专利]用于温度独立电流产生的设备有效

专利信息
申请号: 201480082104.X 申请日: 2014-08-25
公开(公告)号: CN106716289B 公开(公告)日: 2019-11-01
发明(设计)人: 褚炜路 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 路勇
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 温度 独立 电流 产生 设备
【权利要求书】:

1.一种用于温度独立电流产生的设备,其包括:

电压产生器,其经配置以提供电压,所述电压产生器包括:

运算放大器,其经配置以在所述运算放大器的反相输入处接收所述电压;

电压产生器电阻,其耦合到所述运算放大器的非反相输入;及

第一二极管,其耦合到所述运算放大器的所述非反相输入和所述电压产生器电阻;

电流产生器,其耦合到所述电压产生器且经配置以基于来自所述电压产生器的所述电压而提供电流,其中所述电流产生器包含具有随温度增加而增加的性质的第一组件及具有随温度增加而减小的所述性质的第二组件;

其中跨越所述第一组件的第一电流以及跨越所述第二组件的第二电流是由所述电压产生器的所述电压得到,且

其中所述第二组件经配置而以等于所述第一组件增加所述性质的速率的速率减小所述性质,且其中所述第二组件的电阻匹配所述电压产生器电阻,且其中所述第二组件耦合到第二二极管,所述第二二极管的电特性匹配所述第一二极管的电特性。

2.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一及第二组件是电阻器。

3.根据权利要求2所述的设备,其中所述第二二极管耦合到参考电压。

4.根据权利要求2所述的设备,其中所述性质是电阻。

5.根据权利要求2所述的设备,其中所述第一组件包括与所述第二组件不同的材料。

6.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括与存储器相关联的输入缓冲器,其中所述输入缓冲器经配置以从所述电流产生器接收所述电流。

7.根据权利要求1所述的设备,其中所述第二组件的所述电阻与所述电压产生器电阻相等。

8.一种用于温度独立电流产生的设备,其包括:

电压产生器,其经配置以提供电压,所述电压产生器包括:

第一运算放大器,其经配置以在所述第一运算放大器的反相输入处接收所述电压;

电压产生器电阻,其耦合到所述第一运算放大器的非反相输入;及

第一二极管,其耦合到所述第一运算放大器的所述非反相输入和所述电压产生器电阻;

第二运算放大器,其耦合到所述电压产生器且经配置以在所述第二运算放大器的反相输入处接收所述电压;

第一晶体管,所述第一晶体管的栅极耦合到所述第二运算放大器的输出;

第二晶体管,所述第二晶体管的栅极耦合到所述第二运算放大器的所述输出;

第一电阻,其耦合到所述第一晶体管的漏极;

第二电阻,其耦合到所述第一晶体管的所述漏极,其中所述第二电阻、所述第一电阻及所述第一晶体管的所述漏极进一步耦合到所述第二运算放大器的非反相输入;及

第二二极管,其与所述第二电阻串联耦合,其中所述第二电阻及所述第二二极管分别与所述电压产生器电阻及所述第一二极管相匹配。

9.根据权利要求8所述的设备,其中由所述第二晶体管提供输出电流。

10.根据权利要求9所述的设备,其中所述第一电阻及所述第二电阻经配置以使由所述第二晶体管提供的所述输出电流在一温度范围内维持恒定。

11.根据权利要求8所述的设备,其中跨越所述第一电阻的第一电流随温度增加而减小,且跨越所述第二电阻的第二电流随温度增加而增加。

12.根据权利要求8所述的设备,其中所述电压产生器还包括:

第三电阻,其耦合到所述第一运算放大器的所述反相输入且进一步耦合到所述第一运算放大器的输出;

第四电阻,其耦合到所述第一运算放大器的所述反相输入;及

第三二极管,其耦合到所述第四电阻和接地电压。

13.根据权利要求12所述的设备,其中所述第一及第二晶体管包括p沟道晶体管。

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