[发明专利]阻挡层的去除方法以及半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种阻挡层的去除方法，其特征在于，该阻挡层包括至少一层钴或钌层，该阻挡层的去除方法包括：采用电抛光方法去除形成在半导体结构的非凹进区域上的钴或钌层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体结构还包括金属层，该金属层形成在钴或钌层上并填满凹进区。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，采用化学机械抛光方法去除金属层并在半导体结构上留下一连续的金属层，然后采用电抛光方法去除非凹进区域上的金属层。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，采用电抛光方法去除非凹进区域上的金属层。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，采用化学机械抛光方法去除非凹进区域上的金属层。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述金属层为铜层。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述半导体结构还包括介质层和形成在介质层上的硬掩膜层，所述凹进区形成在介质层和硬掩膜层上。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述阻挡层还包括另一层材料为钽、氮化钽、钛或氮化钛的阻挡层，该钽、氮化钽、钛或氮化钛层形成在硬掩膜层上和凹进区的侧壁和底部上，所述钴或钌层形成在该钽、氮化钽、钛或氮化钛层上。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，采用热流蚀刻方法去除非凹进区域上的钽、氮化钽、钛或氮化钛阻挡层以及硬掩膜层。

10.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供一半导体结构，所述半导体结构包括介质层、形成在介质层上的硬掩膜层、形成在介质层和硬掩膜层上的凹进区、形成在硬掩膜层上以及凹进区的侧壁和底部上且包括至少一层钴或钌层的阻挡层、形成在钴或钌层上并填满凹进区的金属层；

采用电抛光方法去除非凹进区域上的金属层和钴或钌层；

采用热流蚀刻方法去除硬掩膜层。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在采用电抛光方法去除非凹进区域上的金属层和钴或钌层前，对金属层表面进行平坦化处理。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，采用化学机械抛光方法对金属层表面进行平坦化处理，在化学机械抛光工艺中，去除大部分的金属层并在半导体结构上保留一连续的金属层。

13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述阻挡层还包括另一层材料为钽、氮化钽、钛或氮化钛的阻挡层，该钽、氮化钽、钛或氮化钛层形成在硬掩膜层上和凹进区的侧壁和底部上，所述钴或钌层形成在该钽、氮化钽、钛或氮化钛层上，采用热流蚀刻方法去除非凹进区域上的钽、氮化钽、钛或氮化钛层。