[发明专利]磁电器件和互连件有效
申请号: | 201480083511.2 | 申请日: | 2014-12-18 |
公开(公告)号: | CN107004759B | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | D·E·尼科诺夫;S·马尼帕特鲁尼;I·A·扬 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08;G11C11/15 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 林金朝;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁电 器件 互连 | ||
1.一种互连件,包括:
第一端部,其具有耦合到第一磁电材料层的铁磁层;以及
第二端部,其具有耦合到所述铁磁层的隧道氧化物层,其中,所述铁磁层从所述第一端部延伸到所述第二端部,并且其中,在所述隧道氧化物层之上形成附加的铁磁层。
2.根据权利要求1所述的互连件,其中,所述第一端部耦合到向所述第一磁电材料层提供输入电压的驱动器。
3.根据权利要求1所述的互连件,其中,所述第一磁电材料层是单层。
4.根据权利要求1所述的互连件,其中,所述第一磁电材料层是混合磁电材料层。
5.根据权利要求4所述的互连件,其中,所述混合磁电材料层包括对所述铁磁层施加磁致伸缩的压电材料。
6.根据权利要求1所述的互连件,其中,所述第二端部耦合到接收器以检测与所述附加的铁磁层相关联的输出电压。
7.根据权利要求1所述的互连件,其中,所述第一磁电材料层由如下材料之一构成:BiFeO3、BiMnFe3、NiC1、Ni3B7O13Cl或Cr2O3。
8.根据权利要求1所述的互连件,其中,所述铁磁层是由如下材料中的一种或多种形成的层:CoFeB;Co、Fe、Ni或Gd合金;或Heusler合金。
9.根据权利要求1所述的互连件,其中,当在所述第一磁电材料层上向所述第一端部施加电压时,畴壁横越所述铁磁层。
10.根据权利要求1所述的互连件,其中,所述第一端部或所述第二端部耦合到导电线的一个端部,以使得所述导电线的第二端部耦合到另一互连件,所述另一互连件包括:
具有耦合到第一磁电材料层的铁磁层的第一端部;以及
具有耦合到所述铁磁层的第二磁电材料层的第二端部,其中,所述铁磁层从所述另一互连件的第一端部延伸到第二端部。
11.根据权利要求1所述的互连件,其中,所述第一端部或所述第二端部耦合到导电线的一个端部,以使得所述导电线的第二端部耦合到开关器件。
12.根据权利要求11所述的互连件,其中,所述开关器件是晶体管,并且其中,所述导电线的所述第二端部耦合到所述开关器件的栅极端子。
13.根据权利要求12所述的互连件,其中,所述开关器件的源极端子耦合到另一导电线,所述另一导电线耦合到另一互连件,其中,所述另一互连件包括:
具有耦合到第一磁电材料层的铁磁层的第一端部;以及
具有耦合到所述铁磁层的第二磁电材料层的第二端部,其中,所述铁磁层从所述另一互连件的第一端部延伸到所述第二端部。
14.一种磁性逻辑门器件,包括:
铁磁层;以及
耦合到所述铁磁层的第一磁电材料层、第二磁电材料层、第三磁电材料层和隧道氧化物层,其中,在所述隧道氧化物层之上形成附加的铁磁层。
15.根据权利要求14所述的磁性逻辑门器件,其中,所述铁磁层被配置成环的形状。
16.根据权利要求14所述的磁性逻辑门器件,其中,所述第一磁电材料层、所述第二磁电材料层和所述第三磁电材料层由如下材料之一构成:BiFeO3、BiMnFe3、NiCl、Ni3B7O13Cl或Cr2O3。
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