[发明专利]利用半导体器件的牺牲性阻挡层的选择性沉积

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体结构，其设置在半导体衬底上方；

隔离侧壁，其设置在所述半导体结构旁边以及所述半导体衬底上方；

高K电介质层，其直接设置在所述半导体结构的不止一侧上，并且不设置在所述隔离侧壁上，其中，所述高K电介质层包括邻近所述隔离侧壁设置的锥形或圆形端部，所述高K电介质层不接触所述隔离侧壁。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括栅极电极，所述栅极电极设置在所述高K电介质层上和所述隔离侧壁的一部分上。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括设置在所述栅极电极与隔离层之间的分子片段层，所述隔离侧壁是所述隔离层的侧表面。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述分子片段层包括由磷、碳、氧、氮、硫、硅或氯原子的至少其中之一形成的悬空键。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体结构是从所述半导体衬底向上延伸的鳍状物。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述不止一侧包括所述鳍状物的顶表面和所述鳍状物的每个侧壁的一部分。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括直接设置在所述半导体衬底的顶部上的浅沟槽隔离(STI)。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述高K电介质层包括紧邻地设置在所述浅沟槽隔离上方的锥形或圆形端部，所述高K电介质层不接触所述浅沟槽隔离。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述高K电介质层也设置在所述浅沟槽隔离上。

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

提供设置在半导体衬底上方的半导体结构，所述半导体结构设置在隔离侧壁旁边；

至少在所述隔离侧壁上沉积牺牲性阻挡层，暴露所述半导体结构；

在所述半导体结构上沉积高K电介质层，其中，所述高K电介质层包括邻近所述隔离侧壁设置的锥形或圆形端部，所述高K电介质层不接触所述隔离侧壁；以及

去除所述牺牲性阻挡层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述牺牲性阻挡层是自组装的单层(SAM)。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述自组装的单层由能够阻挡在所述隔离侧壁上形成所述高K电介质层的分子形成。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述分子是选自于由十八烷基磷酸(ODPA)、1-十八烷硫醇(ODT)、十八烷基三氯硅烷(ODTCS)和硬脂酸(ODCA)组成的组中的分子。

14.根据权利要求10所述的方法，其中，去除所述牺牲性阻挡层包括热处理或化学处理。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，在大于所述电介质层的沉积温度的分解温度下执行所述热处理。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述化学处理包括暴露于包括四甲基氢氧化铵(TMAH)的碱溶液。

17.根据权利要求10所述的方法，其中，去除所述牺牲性阻挡层产生至少设置在隔离层上的分子片段层，所述隔离侧壁是所述隔离层的侧表面。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述分子片段层包括选自于由磷、碳、氮、硫、硅和氯组成的组中的原子。