[发明专利]用于预固定衬底的方法和装置有效
| 申请号： | 201480084026.7 | 申请日： | 2014-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN107851591B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | F.P.林德纳 | 申请（专利权）人： | EV集团E·索尔纳有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杜荔南;刘春元 |
| 地址： | 奥地利圣*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 固定 衬底 方法 装置 | ||
1.用于预固定衬底(1、2)的方法，其中在至少一个表面区域中非晶化所述衬底(1、2)的至少一个衬底表面，其特征在于，所述衬底(1、2)被定向且接着在非晶化的表面区域上接触并且仅仅在部分表面处预固定，其中局部施加力，通过该力只能在所接触的表面区域的部分区域中实现自发接合的等效压力。
2.根据权利要求1所述的方法，其中在第一模块室中进行所述定向和所述预固定。
3.根据权利要求2所述的方法，其中在第一模块室中在小于1 bar的压力下进行所述定向和所述预固定。
4.根据权利要求2所述的方法，其中在第一模块室中在小于1 mbar的压力下进行所述定向和所述预固定。
5.根据权利要求2所述的方法，其中在第一模块室中在小于10 e-5 mbar的压力下进行所述定向和所述预固定。
6.根据权利要求2所述的方法，其中在第一模块室中在小于10 e-6 mbar的压力下进行所述定向和所述预固定。
7.根据权利要求2所述的方法，其中在第一模块室中在小于10 e-7 mbar的压力下进行所述定向和所述预固定。
8.根据权利要求2所述的方法，其中在第一模块室中在小于10 e-8 mbar的压力下进行所述定向和所述预固定。
9.根据上述权利要求1至8之一所述的方法，其中以小于100 μm的定向准确度进行所述定向。
10.根据上述权利要求1至8之一所述的方法，其中以小于10 μm的定向准确度进行所述定向。
11.根据上述权利要求1至8之一所述的方法，其中以小于1 μm的定向准确度进行所述定向。
12.根据上述权利要求1至8之一所述的方法，其中以小于100 nm的定向准确度进行所述定向。
13.根据上述权利要求1至8之一所述的方法，其中以小于10 nm的定向准确度进行所述定向。
14.根据上述权利要求1至8之一所述的方法，其中所述预固定具有介于0.01 J/m2与5J/m2之间的结合强度。
15.根据上述权利要求1至8之一所述的方法，其中所述预固定具有大于0.1 J/m2的结合强度。
16.根据上述权利要求1至8之一所述的方法，其中所述预固定具有大于0.2 J/m2的结合强度。
17.根据上述权利要求1至8之一所述的方法，其中所述预固定具有大于0.5 J/m2的结合强度。
18.根据上述权利要求1至8之一所述的方法，其中所述预固定具有大于1 J/m2的结合强度。
19.根据上述权利要求1至8之一所述的方法，其中所述预固定具有大于1.5 J/m2的结合强度。
20.根据上述权利要求1至8之一所述的方法，其中所述预固定通过局部能量输入来进行。
21.根据权利要求20所述的方法，其中所述预固定通过对背对待接触的衬底表面的一侧的局部能量输入来进行。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
