[发明专利]用于生产用于具有硫化铟钠缓冲层的薄膜太阳能电池的层系统的方法

权利要求书

1.用于生产用于薄膜太阳能电池（100）的层系统（1）的方法，其中

a）生产吸收层（4），以及

b）在吸收层（4）上生产缓冲层（5），其中，缓冲层（5）包含根据化学式Na_xIn_y-x/3S的硫化铟钠，其中，0.063 ≤ x ≤ 0.625并且0.681 ≤ y ≤ 1.50，并且其中，基于至少一种硫铟化钠化合物来生产缓冲层（5），而不沉积硫化铟。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，基于选自硫铟化钠化合物NaIn₃S₅、NaIn₅S₈和NaInS₂中的至少一种化合物来生产所述缓冲层（5）。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在步骤b）中通过湿化学浴沉积、原子层沉积（ALD）、离子层气体沉积（ILGAR）、喷雾热解、化学气相沉积（CVD）或物理气相沉积（PVD）、溅射、热蒸发或电子束蒸发，特别是从用于至少一种或多种硫铟化钠化合物的单独源，来生产所述缓冲层（5）。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤b）中的缓冲层（5）被离开气相而沉积，其中，待沉积材料的至少一种组分的浓度在其气相中并且因此在其沉积到吸收层（4）上之前被降低。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，待沉积材料的至少一种组分的浓度在其气相中通过键合到被引入沉积室的材料而降低，所述组分能够物理地和/或化学地键合到引入沉积室的材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述吸收层（4）以直列方法或旋转方法被传送经过硫铟化钠化合物的蒸汽束或经过彼此不同的硫铟化钠化合物的多个蒸汽束（11，12），所述多个蒸汽束（11，12）具有完全地、部分地或不重叠的蒸汽束。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，布置在吸收层（4）上的缓冲层（5）包含根据化学式Na_xIn_y-x/3S的硫化铟钠，其中，0.063 ≤ x ≤ 0.469并且0.681 ≤ y ≤ 1.01。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，布置在吸收层（4）上的缓冲层（5）包含根据化学式Na_xIn_y-x/3S的硫化铟钠，其中，0.13 ≤ x ≤ 0.32并且0.681 ≤ y ≤ 0.78。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述缓冲层（5）中，钠和铟的摩尔分数的比率大于0.2。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述缓冲层（5）的钠的摩尔分数大于5原子％。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述缓冲层（5）的钠的摩尔分数大于7原子％。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述缓冲层（5）的钠的摩尔分数大于7.2原子％。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述缓冲层（5）包含小于7原子％的卤素或者铜的摩尔分数。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述缓冲层（5）包含小于5原子％的卤素或者铜的摩尔分数。

15.根据权利要求13或14所述的方法，其中，所述卤素是氯。

16.根据权利要求1所述的方法，其中，所述缓冲层（5）包含小于10原子％的氧的摩尔分数。