[其他]扁平电缆型高频滤波器、扁平电缆型高频双工器以及电子设备

权利要求书

1.一种扁平电缆型高频滤波器，其特征在于，包括：

平膜状的电介质基材，该平膜状的电介质基材由在高频信号的传输方向伸长的形状构成；

多个导体图案，该多个导体图案形成在该电介质基材上，为沿着所述电介质基材的伸长方向伸长的形状，在所述伸长方向的中段位置上断开；以及

电容耦合用导体图案，该电容耦合用导体图案在所述多个导体图案间进行电容耦合，

利用所述多个导体图案形成电感，利用所述电容耦合用导体图案形成电容。

2.如权利要求1所述的扁平电缆型高频滤波器，其特征在于，

所述电介质基材的介电损耗角正切值为0.005以下。

3.如权利要求2所述的扁平电缆型高频滤波器，其特征在于，

所述电介质基材由液晶高分子构成。

4.如权利要求1所述的扁平电缆型高频滤波器，其特征在于，

所述电介质基材中，未形成与接地电位连接的导体图案。

5.如权利要求1所述的扁平电缆型高频滤波器，其特征在于，

包括平膜状的屏蔽导体图案，相对于未形成所述电容的所述多个导体图案的平膜面，该平膜状的屏蔽导体图案间隔规定距离相对。

6.如权利要求5所述的扁平电缆型高频滤波器，其特征在于，

所述屏蔽导体图案在所述导体图案的两侧被设置成包夹所述导体图案。

7.如权利要求1所述的扁平电缆型高频滤波器，其特征在于，

沿着所述电介质基材的所述传输方向的与所述电容耦合用导体图案的形成区域不同的位置为弯折部。

8.如权利要求1至权利要求7中任一项所述的扁平电缆型高频滤波器，其特征在于，

所述电容耦合用导体图案由被设置成夹着构成所述电介质基材的电介质层与所述多个导体图案中的一个相对的平板导体图案；以及与该平板导体图案相对的所述一个导体图案的平板区域形成。

9.如权利要求1至权利要求7中任一项所述的扁平电缆型高频滤波器，其特征在于，

所述电容耦合用导体图案由被设置成夹着构成所述电介质基材的电介质层与所述多个导体图案相对的平板导体图案；以及与该平板导体图案相对的所述多个导体图案的平板区域形成。

10.如权利要求1至权利要求7中任一项所述的扁平电缆型高频滤波器，其特征在于，

所述多个导体图案分别形成在包夹构成所述电介质基材的电介质层的其它面上，

所述电容耦合用导体图案利用所述多个导体图案夹着所述电介质层相对的区域而构成。

11.如权利要求8所述的扁平电缆型高频滤波器，其特征在于，

与所述电容耦合用导体图案相对的导体图案的垂直于所述传输方向的方向上的宽度，和与所述电容耦合用导体图案不相对的导体图案的所述宽度大致相等。

12.如权利要求9所述的扁平电缆型高频滤波器，其特征在于，

与所述电容耦合用导体图案相对的导体图案的垂直于所述传输方向的方向上的宽度，和与所述电容耦合用导体图案不相对的导体图案的所述宽度大致相等。

13.如权利要求10所述的扁平电缆型高频滤波器，其特征在于，

与所述电容耦合用导体图案相对的导体图案的垂直于所述传输方向的方向上的宽度，和与所述电容耦合用导体图案不相对的导体图案的所述宽度大致相等。

14.如权利要求11至权利要求13中任一项所述的扁平电缆型高频滤波器，其特征在于，

所述导体图案的宽度与所述电介质基材的宽度大致相同。

15.如权利要求1至权利要求7中任一项所述的扁平电缆型高频滤波器，其特征在于，

所述电容耦合用导体图案是一体形成在所述多个导体图案相对的端部、沿着所述传输方向以规定距离相对的梳状导体。