[其他]层叠型线圈及通信终端装置有效
申请号: | 201490001148.0 | 申请日: | 2014-10-29 |
公开(公告)号: | CN206472116U | 公开(公告)日: | 2017-09-05 |
发明(设计)人: | 石塚健一 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H03H7/38 | 分类号: | H03H7/38 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 胡秋瑾 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 层叠 线圈 通信 终端 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及层叠型线圈、阻抗转换电路及包括该阻抗转换电路的通信终端装置。
背景技术
伴随着移动电话终端等无线通信设备的小型化,具有使天线小型化,并使其阻抗降低的趋势。若利用电抗元件使供电电路和与供电电路相比阻抗非常低的天线相匹配,即、若使阻抗转换比变大,则进行匹配的频带会变窄。
另一方面,在利用一个天线与多个通信系统相对应的情况下,例如与低频带(例如800MHz频带)和高频带(例如2GHz频带)的通信系统相对应的情况下,利用一个辐射元件的基本谐振模式和高次谐振模式。然而,辐射元件的阻抗因频率不同而不同,因此会产生如下问题:即、若设有在一个频带中匹配的匹配电路,则在另一个频率下无法匹配。
为了解决上述问题,如专利文献1所示提出了在匹配电路中使用了变压器电路的阻抗转换电路。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第4761009号公报
实用新型内容
实用新型所要解决的技术问题
一般而言,变压器的一次线圈和二次线圈的形状相同,且彼此越接近配置,则一次线圈和二次线圈的耦合系数越高。因此,在层叠多个基材层而得到的层叠体中构成变压器的情况下,若环状的线圈导体在层叠方向上接近配置,则耦合系数变高。
然而,为了使线圈导体与其他线圈导体、外部端子相连接,需要在线圈导体的形成区域外形成布线。这样的布线完全不会有助于一次线圈和二次线圈的耦合,因此,由于该布线的存在而导致一次线圈和二次线圈的耦合系数劣化。
此外,在构成变压器结构的阻抗转换电路、共模扼流线圈等层叠型线圈时,线圈导体的形成区域外的上述布线的存在成为阻碍小型化的主要原因。即,在对层间进行连接的层间连接导体和线圈导体之间需要用于保持绝缘状态的一定程度的距离。其结果是,需要缩小线圈导体的形成区域的尺寸。然而,若线圈导体的形成区域缩小,则每一层所获得的电感变小,为了获得所希望的电感,需要增加线圈导体的形成层数。其结果是,不仅会导致耦合系数的劣化,也会导致线圈Q值的劣化。为了去除层叠体内部的布线,也具有利用层叠体的侧面电极进行布线的方法。然而,层叠体的侧面电极的位置由尺寸、用途来预先决定,变更的自由度非常低。
此外,为了提高一次线圈和二次线圈的耦合系数,使各个线圈导体为相同形状尤为重要。此处,图8(A)、图8(B)示出了形成有线圈导体的两个基材层11、12的俯视图。图8(C)、图8(D)是将基材层11、12重叠后的状态的俯视图。图8(A)是在两个基材层形成有大致一匝的线圈导体,并在层叠体的一端形成有供电端子P1、天线端子P2及接地端子P3的示例。图8(B)是在层叠体的上下左右形成有上述端子的示例。上述示例均是在线圈导体的规定位置由层间连接导体V进行层间连接。图8(A)、图8(C)所示的结构能获得较高的耦合系数,但在侧面电极的形成位置上不具有自由度。图8(B)、图8(D) 所示的结构无法获得较高的耦合系数。
为了将端子的形成位置设在规定位置,将线圈导体形成于多个层是较为有效的。例如,如图9所示,若在多个基材层11~15中形成线圈导体,并在规定位置形成层间连接导体V1~V4,则能形成一匝以上的线圈并将端子配置在与层叠体相对的端部。然而,该结构需要非常多的基材层,且难以获得所需的(较小的)电感值
因此,本实用新型的目的在于解决上述技术问题,提供具有规定的电感值的小型的层叠型线圈,小型且能获得较高的耦合系数的阻抗转换电路,或在无法改变外部端子的位置的情况下也能获得规定的电感、且设定规定的阻抗转换比的阻抗转换电路,以及具备该阻抗转换电路的通信终端装置。
解决技术问题所采用的技术手段
本实用新型的层叠型线圈包括:
层叠多个基材层的层叠体;以及
第1线圈元件及第2线圈元件,该第1线圈元件及第2线圈元件设置于所述层叠体,从多个所述基材层的层叠方向俯视时所述第1线圈元件及所述第2线圈元件彼此重叠,且彼此进行耦合,
至少所述第1线圈元件包括第1线圈导体及第2线圈导体,该第1线圈导体及第2线圈导体形成于多个所述基材层中的互不相同的基材层,进行所述俯视时彼此重叠,
所述第1线圈导体和所述第2线圈导体至少在两个位置经由层间连接导体相连接,从而在所述第1线圈元件的一部分构成包含所述第1线圈导体的一部分和所述第2线圈导体的一部分的第1并联连接部。
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