[其他]靶材布置和处理设备有效
申请号: | 201490001521.2 | 申请日: | 2014-07-22 |
公开(公告)号: | CN206858649U | 公开(公告)日: | 2018-01-09 |
发明(设计)人: | F·施纳朋伯格 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/56;H01J37/34 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 布置 处理 设备 | ||
1.一种用于处理设备(105;107)的靶材布置(100;101;102;103;104;106),所述靶材布置包括:
靶材支座(110),所述靶材支座配置成用于支撑非平面靶材材料(120),所述非平面靶材材料沿一长度延伸,并具有一表面,所述表面具有圆弧的形式,其中所述弧的长度定义为(Θ/180)π*R,其中Θ<360°,其中所述靶材支座(110)包括真空侧(130)和大气侧(140);并且
其中所述靶材支座提供中空区段(115),从而允许至少部分地将磁体组件容纳在所述靶材支座中。
2.如权利要求1所述的靶材布置,进一步包括磁体组件(117),所述磁体组件配置成用于从所述靶材材料(120)进行磁控管溅射。
3.如权利要求1所述的靶材布置,进一步包括磁体组件(117),所述磁体组件配置成用于从在沿所述靶材支座的长度的第一方向上延伸的靶材材料(120)进行磁控管溅射。
4.如权利要求3所述的靶材布置,其中所述磁体组件配置成用于至少30°角度的旋转运动。
5.如权利要求4所述的靶材布置,其中所述旋转运动的旋转轴基本上平行于所述第一方向。
6.如权利要求2或3所述的靶材布置,其中所述磁体组件包括三个磁体元件。
7.如权利要求6所述的靶材布置,其中所述三个磁体元件沿一线布置,从而允许所述三个磁体元件各都具有至所述非平面靶材材料的相同距离。
8.如权利要求1至3中的任一项所述的靶材布置,进一步包括靶材材料,所述靶材材料沿一长度延伸,并且具有弯曲的表面。
9.如权利要求1至3中的任一项所述的靶材布置,进一步包括靶材材料,所述靶材材料沿一长度延伸,并且具有圆、椭圆或抛物线的弧的形式的表面。
10.如权利要求1至3中的任一项所述的靶材布置,其中所述靶材支座(110)包括板状底座(111)以及从所述板状底座(111)延伸的结构(112;113)。
11.如权利要求2或3所述的靶材布置,进一步包括升举装置,用于保持所述真空侧(130)处的所述靶材材料的所述表面与所述磁体组件之间的距离恒定。
12.如权利要求1至3中的任一项所述的靶材布置,进一步包括设在所述靶材支座上的靶材材料,其中所述靶材支座和所述靶材材料中的至少一者具有半圆柱管的形状。
13.一种用于处理设备(105;107)的靶材布置(100;101;102;103;104;106),所述靶材布置包括:
靶材支座(110),所述靶材支座配置成用于支撑非平面靶材材料(120),所述非平面靶材材料沿一长度延伸,并具有一表面,所述表面具有圆弧的形式,其中所述弧的长度定义为(Θ/180)π*R,其中Θ<360°,其中所述靶材支座(110)包括真空侧(130)和大气侧(140),
其中所述靶材支座提供中空区段(115),从而允许至少部分地将磁体组件容纳在所述靶材支座中,
所述靶材布置进一步包括磁体组件(117),所述磁体组件配置成用于从所述靶材材料(120)进行磁控管溅射,其中所述磁体组件配置成用于至少30°角度的旋转运动,
所述靶材布置进一步包括磁体组件(117),所述磁体组件配置成用于从在沿所述靶材支座的长度的第一方向上延伸的靶材材料(120)进行磁控管溅射,
其中所述旋转运动的旋转轴基本上平行于所述第一方向,
其中所述磁体组件包括三个磁体元件,
其中所述三个磁体元件沿一线布置,从而允许所述三个磁体元件各都具有至所述非平面靶材材料的相同距离,并且所述靶材布置进一步包括靶材材料,所述靶材材料沿一长度延伸,并且具有弯曲的表面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201490001521.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类