[发明专利]双台面结构双向可控硅封装的测试方法

权利要求书

1.一种双台面结构双向可控硅的测试方法，其特征在于：包括步骤：

S1：对双台面结构双向可控硅进行模拟高压放电，其中，高压放电时间为100ms；

S2：对完成模拟高压放电后的双台面结构双向可控硅进行基本参数测试，以判断基本参数是否符合预设值，若符合则判断双台面结构双向可控硅合格，若不符合则判断双台面结构双向可控硅已损坏。

2.根据权利要求1所述的双台面结构双向可控硅的测试方法，其特征在于：在所述步骤S1中，所述模拟高压放电通过可控硅编程模块实现，所述模拟高压放电的模拟条件根据将实际人工测试条件加入至可控硅编程模块内进行编制完成。

3.根据权利要求1所述的双台面结构双向可控硅的测试方法，其特征在于：在所述步骤S1中，所述高压放电的方式为：在测试时间内，使装片焊锡靠近台面的管子。

4.根据权利要求1所述的双台面结构双向可控硅的测试方法，其特征在于：所述基本参数为正反电压：VDRM和VRRM，正反漏电：IDRM和IRRM，控制极电流IGT1～4，控制极电压：VGT1～4，撑住电流：IL1～4，维持电流：IH，通态峰值电压：VTM。