[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，具体地，涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置。

背景技术

在薄膜晶体管液晶显示器(TFT LCD)中，低温多晶硅(LTPS)技术可以实现高分辨率、反应速度快、高亮度和高开口率等；基于以上优点，LTPS技术成为TFT LCD的发展方向之一。LTPS技术较为复杂，使得采用LTPS技术的TFT LCD的产品良率较低。特别地，在采用LTPS技术的TFT LCD的生产和使用过程中，更容易产生静电，因此，采用LTPS技术的TFT LCD中一般设置ESD回路，用于提高抗静电释放(Electro-Static Discharge，以下简称为ESD)能力，以避免TFT LCD因ESD而损坏。

图1为现有采用LTPS技术的TFT LCD中的ESD回路的示意图。如图1所示，所述ESD回路包括第一、第二晶体管，第一晶体管的栅极G、漏极D与数据线DATA连接，源极S与阵列基板上的高电压端VDD连接，所述高电压端VDD上的电压为TFT LCD的显示面板正常工作的最高正电压VGH；第二晶体管的源极S与数据线DATA连接，栅极G、漏极D与低电压端VSS连接，所述低电压端VSS上的电压为TFT LCD的显示面板正常工作的最低负电压VGL。图2为图1所示TFT LCD的结构图。如图2所示，第一、第二晶体管的源极S、漏极D通过设置在阵列基板上的多晶硅连接，且该多晶硅的与源极S、漏极D连接的一端均进行N型高浓度掺杂，且该两端之间进行P型低浓度掺杂。

在上述TFT LCD中，由于第一晶体管的栅极G、漏极D和第二晶体管的栅极G、漏极D相连，其二者等效为单向导通的二极管。在静电产生，使数据线DATA上的电压高于VGH时，第一晶体管开启，使数据线DATA与高电压端VDD连接，从而使数据线DATA上的电压不高于VGH；在静电产生，使数据线DATA上的电压低于VGL时，第二晶体管开启，使数据线DATA与低电压端VSS连接，从而使数据线DATA上的电压不低于VGL。在数据线DATA上的电压处在VGH和VGL之间时，第一、第二晶体管关闭，从而使高电压端VDD、低电压端VSS不会影响数据线DATA上的电压。

在上述TFT LCD中，采用栅极G、漏极D连接的第一晶体管、第二晶体管等效单向导通的二极管，连接在数据线DATA与高电压端VDD、低电压端VSS之间，可以不增加阵列基板的制备工艺(第一晶体管、第二晶体管与每个像素单元内的薄膜晶体管同时制备)。但由于在多晶硅的两端均进行N型高浓度掺杂，会使第一、第二晶体管的源极S、漏极D之间具有较大的漏电流，这样会导致TFT LCD工作时的功耗较高。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置，所述阵列基板、显示面板及显示装置的功耗较低。

为实现本发明的目的而提供一种阵列基板，所述阵列基板包括基底，以及设置在基底上的数据线、开关器件和电压补偿模块，所述开关器件连接在所述数据线与电压补偿模块之间，用以在所述数据线上的电压低于预设低电压或高于预设高电压时，将所述数据线与电压补偿模块导通；所述开关器件为PN结。

其中，所述电压补偿模块包括高电压端和低电压端，所述高电压端的电压为所述预设高电压，所述低电压端的电压为所述预设低电压。

其中，所述开关器件包括第一PN结和第二PN结，所述第一PN结的P端与数据线连接，N端与高电压端连接，所述第二PN结的P端与低电压端连接，N端与数据线连接。当数据线上的电压高于预设高电压时，第一PN结将数据线与高电压端导通；当数据线上的电压低于预设低电压时，第二PN结将数据线与低电压端导通。

其中，所述电压补偿模块至少包括高电压端，所述高电压端的电压为所述预设高电压；所述PN结的数量为一个，所述PN结的P端与数据线连接，N端与高电压端连接。当数据线上的电压高于预设高电压时，所述PN结将数据线与高电压端导通。

其中，所述电压补偿模块至少包括低电压端，所述低电压端的电压为所述预设低电压；所述PN结的数量为一个，所述PN结的P端与低电压端连接，N端与数据线连接。当数据线上的电压低于预设低电压时，所述PN结将数据线与低电压端导通。

其中，所述PN结的P端和N端通过在多晶硅或单晶硅的两端分别进行P型高浓度掺杂和N型高浓度掺杂制备。

其中，所述PN结的P端和N端之间具有间隔，所述间隔区域进行P型低浓度掺杂。