[发明专利]基于闭合磁路的框式薄膜电感器及其制作方法

权利要求书

1.一种基于闭合磁路的框式薄膜电感器，其特征在于包括有下层磁芯层、下层绝缘层、线圈、线圈磁膜、上层绝缘层、上层磁芯层，其中线圈的顶面及底面分别设有上层绝缘层及下层绝缘层，上层磁芯层设在上层绝缘层的顶面，下层磁芯层设在下层绝缘层的底面，上层绝缘层及下层绝缘层分别把线圈与上层磁芯层及下层磁芯层隔离绝缘，线圈包括有分成两行错开排列的若干个线圈 , 若干个线圈的中空区域内没有绝缘层，线圈磁膜装设在若干个线圈的中空区域内，上层磁芯层及下层磁芯层的磁膜通过装设在线圈中空区域内的线圈磁膜连接，装设在两不同行线圈的中空区域内的相邻线圈磁膜通过上层磁芯层及下层磁芯层的磁膜延伸连接，形成上层磁芯层及下层磁芯层的磁膜通过线圈磁膜相连、相邻线圈磁膜之间通过上层磁芯层及下层磁芯层的磁膜相连的具有闭合磁路的薄膜电感。

2.根据权利要求1所述的基于闭合磁路的框式薄膜电感器，其特征在于上述分成两行错开排列的若干个线圈的中心点呈“之”字形分布，线圈通电时，不同行时，相邻两个线圈中心区域的磁通方向相反，同行时，相邻两个线圈中心区域的磁通方向相同。

3.根据权利要求1或2所述的基于闭合磁路的框式薄膜电感器，其特征在于上述线圈包括的若干个线圈的每个线圈的截面形状是方形，或是圆形。

4.一种基于闭合磁路的框式薄膜电感的制作方法，其特征在于包括如下步骤：

1）在载玻片上放在磁芯掩模板，在超高真空磁控溅射与离子束联合溅射设备内镀下层磁芯层；

2） 揭去磁芯掩模板，粘贴下层绝缘层，再图形化处理；

3） 放上线圈掩模板，在前述设备内镀线圈；

4）揭去线圈掩模板，放上线圈磁膜掩模板，在上述设备上镀线圈磁膜；

5）揭去线圈磁膜掩模板，粘贴上层绝缘层，再图形化处理；

6）放上磁芯掩模板，按步骤1）的方法在前述设备内镀上层磁芯层，再经表层保护后制成所需电感。

5.根据权利要求4所述的基于闭合磁路的框式薄膜电感的制作方法，其特征在于上述步骤1）在超高真空磁控溅射与离子束联合溅射设备内镀下层磁芯层，下层磁芯层是Co膜，工艺参数为：本底真空度为5.0±0.1×10^-4Pa，溅射气氛为氩气，气压为4±0.1Pa，溅射功率为96±1W，沉积60±1min。

6.根据权利要求4所述的基于闭合磁路的框式薄膜电感的制作方法器，其特征在于上述步骤2）中的下层绝缘层是聚偏二氯乙烯绝缘层。

7.根据权利要求4所述的基于闭合磁路的框式薄膜电感的制作方法，其特征在于上述步骤3）中的线圈是Cu线圈，工艺参数为：本底真空度为5.0±0.1×10^-4Pa，溅射气氛为氩气，气压为1±0.1 Pa，溅射功率为60±1W，沉积10±0.5min。

8.根据权利要求4所述的基于闭合磁路的框式薄膜电感的制作方法，其特征在于上述步骤4）在上述设备上镀线圈磁膜的工艺参数同步骤1）。

9.根据权利要求4所述的基于闭合磁路的框式薄膜电感的制作方法，其特征在于上述步骤5）的上层绝缘层是聚偏二氯乙烯绝缘层。

10.根据权利要求4所述的基于闭合磁路的框式薄膜电感的制作方法，其特征在于上述步骤6）按步骤1）的方法在前述设备内上层磁芯层。