[发明专利]半导体热电致冷材料电学参数综合监测装置

权利要求书

1.半导体热电致冷材料电学参数综合监测装置，其特征在于，它包括数字电压表(1)、数显恒流源(2)、升降式四相滑动端子(3)、赛贝克系数测试模块(4)、大尺寸晶棒电导率测试模块(5)、小块切割样品电导率测试模块(6)；

所述的升降式四相滑动端子(3)包括4个输入端和4个输出端；

数字电压表(1)的两个电压测试端分别与升降式四相滑动端子(3)的两个输入端连接，数显恒流源(2)的两个电流测试端分别与升降式四相滑动端子(3)的另两个输入端连接，

升降式四相滑动端子(3)的4个输出端分别与赛贝克系数测试模块(4)的4个输入端、大尺寸晶棒电导率测试模块(5)的4个输入端和小块切割样品电导率测试模块(6)的4个输入端连接。

2.根据权利要求1所述的半导体热电致冷材料电学参数综合监测装置，其特征在于，所述的大尺寸晶棒电导率测试模块(5)包括可调节探针(5-1)和样品夹(5-2)，

所述的可调节探针(5-1)具有两个接触探头，且两个接触探头之间的距离可调，该两个接触探头用于检测待测晶体样品(7)上任意两点之间的电压，

一个接触探头同时与数显恒流源(2)的一个电流测试端和数字电压表(1)的一个电压测试端连接，

另一个接触探头同时与数显恒流源(2)的另一个电流测试端和数字电压表(1)的另一个电压测试端连接，

样品夹(5-2)用于夹持待测晶体样品(7)，还用于接收测试电压。

3.根据权利要求2所述的半导体热电致冷材料电学参数综合监测装置，其特征在于，所述的可调节探针(5-1)的两个接触探头为柱状铜质电极。

4.根据权利要求1所述的半导体热电致冷材料电学参数综合监测装置，其特征在于，所述的样品夹(5-2)采用铜制成。

5.根据权利要求1所述的半导体热电致冷材料电学参数综合监测装置，其特征在于，所述的小块切割样品电导率测试模块(6)包括1号双向换向开关(6-1)和2个测试电极(6-2)；

1号双向换向开关(6-1)具有两个输入端、两个输出端和两个可动端，

2个测试电极(6-2)用于夹固待测晶体样品(7)，且2个测试电极(6-2)的分别与1号双向换向开关(6-1)的两个可动端连接，

1号双向换向开关(6-1)的一个输入端同时与数显恒流源(2)的一个电流测试端和数字电压表(1)的一个电压测试端连接，

1号双向换向开关(6-1)的另一个输入端同时与数显恒流源(2)的另一个电流测试端和数字电压表(1)的另一个电压测试端连接。

6.根据权利要求1所述的半导体热电致冷材料电学参数综合监测装置，其特征在于，所述的赛贝克系数测试模块(4)包括数字温度控制表(4-1)、温度控制开关(K1)、电压测试开关(K2)、2号双向换向开关(K3)、1号温度调节开关(K4)、2号温度调节开关(K5)、恒温电极(4-3)和温度控制电极(4-2)；

2号双向换向开关(K3)具有两个输入端、两个输出端和两个可动端，

电压测试开关(K2)具有两个可动端和两个固定端，

温度控制开关(K1)、1号温度调节开关(K4)和2号温度调节开关(K5)均为单刀单掷开关，

恒温电极(4-3)和温度控制电极(4-2)分别用于夹固在待测晶体样品(7)的两端，

数字温度控制表(4-1)的电流输入端与温度控制开关(K1)的一端连接，温度控制开关(K1)的另一端与恒温电极(4-3)连接，

数字温度控制表(4-1)的两个电流输出端分别与2号双向换向开关(K3)的两个输入端连接，2号双向换向开关(K3)的两个可动端分别与电压测试开关(K2)的两个可动端连接，

电压测试开关(K2)两个输出端用于与数字电压表(1)的两个电压测试端连接，

2号双向换向开关(K3)的两个输出端分别与恒温电极(4-3)和温度控制电极(4-2)连接，

1号温度调节开关(K4)和2号温度调节开关(K5)的一端均与温度控制电极(4-2)连接，

1号温度调节开关(K4)的另一端和2号温度调节开关(K5)的另一端用于与数显恒流源(2)的两个电流测试端连接。