[发明专利]场效应晶体管、显示元件、图像显示设备和系统

权利要求书

1.一种场效应晶体管，包括：

栅极；

源极和漏极；

有源层，相邻于所述源极和所述漏极提供，所述有源层包括n型金属氧化物半导体；以及

栅绝缘层，在所述栅极和所述有源层之间提供，

其中，所述金属氧化物半导体包括n型替位掺杂氧化物，其中，所述n型掺杂化合物包括至少一个掺杂物，其中，所有掺杂物的价大于所述金属氧化物半导体中的被替位掺杂的金属离子的价，

其中，所述n型掺杂化合物是红绿柱石化合物，所述红绿柱石化合物包括从包括In³⁺、Sc³⁺、Y³⁺和Ln³⁺的组中选出的至少一个三价阳离子，其中所述Ln是稀土元素，其中，所述红绿柱石化合物的三价阳离子的一部分由从包括Ge⁴⁺、Sn⁴⁺、Ti⁴⁺、Zr⁴⁺、Hf⁴⁺、V⁵⁺、Nb⁵⁺、Ta⁵⁺、Sb⁵⁺、Mo⁶⁺和W⁶⁺的组中选出的至少一个阳离子替位。

2.一种场效应晶体管，包括：

栅极；

源极和漏极；

有源层，相邻于所述源极和所述漏极提供，所述有源层包括n型金属氧化物半导体；以及

栅绝缘层，在所述栅极和所述有源层之间提供，

其中，所述金属氧化物半导体包括n型替位掺杂氧化物，其中，所述n型掺杂化合物包括至少一个掺杂物，其中，所有掺杂物的价大于所述金属氧化物半导体中的被替位掺杂的金属离子的价，

其中，所述n型替位掺杂氧化物是由AE₂O₆代表的三金红石化合物，其中，A是从包括Mg²⁺、Zn²⁺和Cd²⁺的组中选出的至少一个二价阳离子，并且E是从包括Sb⁵⁺、Nb⁵⁺和Ta⁵⁺的组中选出的至少一个五价阳离子。

3.如权利要求2所述的场效应晶体管，

其中，所述三金红石化合物的AE₂O₆的阳离子E的一部分由从包括Mo⁶⁺和W⁶⁺的组中选出的至少一个阳离子替位。

4.如权利要求2所述的场效应晶体管，

其中，所述三金红石化合物从ZnSb₂O₆、MgSb₂O₆和MgTa₂O₆中选出。

5.一种场效应晶体管，包括：

栅极；

源极和漏极；

有源层，相邻于所述源极和所述漏极提供，所述有源层包括n型金属氧化物半导体；以及

栅绝缘层，在所述栅极和所述有源层之间提供，

其中，所述金属氧化物半导体包括具有正交晶族的成分的n型替位掺杂氧化物，其中，所述n型掺杂化合物包括从包括三价阳离子、四价阳离子、五价阳离子和六价阳离子的组中选出的至少一个掺杂物；

其中，所述掺杂物的价大于所述金属氧化物半导体的金属离子的价，

其中，所述具有正交晶族的成分的n型替位掺杂氧化物是由A₂GO₄代表的橄榄石化合物，其中A是从包括Mg²⁺、Zn²⁺和Cd²⁺的组中选出的至少一个二价阳离子，并且G是从包括Si⁴⁺、Ge⁴⁺和Sn⁴⁺的组中选出的至少一个四价阳离子。