[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201510004828.9 | 申请日： | 2015-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN105321904B | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 姜序;胡耀文;施能泰;李宗翰 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介电层 穿硅通孔 线路图案 阻挡层 基材 半导体装置 镶嵌 覆盖基材 共形 覆盖 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
基材，其具有第一侧以及相反于所述第一侧的第二侧；
穿硅通孔结构，突出于所述基材的所述第二侧的表面；
阻挡层，共形的覆盖所述基材的所述第二侧的表面以及所述穿硅通孔结构；
第一介电层，覆盖所述阻挡层除了其直接位于所述穿硅通孔结构上方的部分，所述第一介电层具有经抛光表面，其低于所述阻挡层在所述穿硅通孔周围的部分的上表面；
第二介电层，设于所述第一介电层上，其中所述第二介电层直接接触所述第一介电层和所述阻挡层；以及
镶嵌线路图案，设于所述第二介电层中，其中所述镶嵌线路图案直接接触所述穿硅通孔结构。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述穿硅通孔结构进一步包括导电层以及衬垫层，所述衬垫层介于所述导电层与所述基材之间。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述衬垫层包括氧化硅。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述导电层包括铜。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述基材包括硅基材。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述阻挡层包括氮化硅。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一介电层包括氧化硅。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二介电层包括氧化硅。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述镶嵌线路图案包括铜层以及阻障层，所述阻障层包围所述铜层。
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