[发明专利]一种阵列基板、显示装置及阵列基板制造方法有效
申请号: | 201510005537.1 | 申请日: | 2015-01-05 |
公开(公告)号: | CN104752439B | 公开(公告)日: | 2017-12-26 |
发明(设计)人: | 李松;罗丽媛;钱栋;刘刚 | 申请(专利权)人: | 上海天马有机发光显示技术有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84;H01L23/50;H01L27/32 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 201201 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种阵列基板,用于有机发光显示器,其特征在于,包括:
衬底基板,分为显示区和非显示区;
薄膜晶体管层,位于所述衬底基板上;
所述显示区的所述薄膜晶体管层包含在所述衬底基板上依次设置的第一辅助层和源漏极金属层,所述源漏极金属层与所述第一辅助层电连接;
在所述源漏极金属层与所述第一辅助层之间还包括层间绝缘层,所述层间绝缘层具有至少一个过孔,所述第一辅助层通过所述过孔与所述源漏极金属层电连接;
其中,所述源漏极金属层包括第一极、第二极和与所述第一极直接电连接的多条信号线,所述薄膜晶体管层还包括设置在所述衬底基板的半导体层,所述第一辅助层位于所述半导体层和所述第一极之间,且所述第一极通过所述第一辅助层与所述半导体层电连接;或,
所述源漏极金属层包括第一极、第二极和与所述第一极直接电连接的多条信号线,所述第一辅助层位于所述衬底基板和所述信号线之间,且所述第一辅助层与所述信号线电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在所述显示区,在所述阵列基板上还包括设置在所述薄膜晶体管层上的有机电致发光层,所述有机电致发光层包含依次设置的阳极反射层、有机发光电极层和阴极层,像素定义层围绕所述有机发光电极层限定出像素单元,所述第二极与所述阳极反射层电连接。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一辅助层采用电阻率小于所述源漏极金属层电阻率的材料。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一辅助层的形状与所述信号线的形状相同,为沿着信号线延伸方向延伸的连续图形。
5.一种阵列基板,用于有机发光显示器,其特征在于,包括:
衬底基板,分为显示区和非显示区;
薄膜晶体管层,位于所述衬底基板上;
第二辅助层,位于所述非显示区的所述薄膜晶体管层上;
第一电极层,位于所述非显示区的所述第二辅助层上,并与所述第二辅助层电连接;
其中,所述第二辅助层作为电源信号传输的中介层。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,还包括设置于所述第二辅助层和所述第一电极层之间的第一绝缘层和第二绝缘层,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层具有至少一个第一通孔,暴露部分所述第二辅助层,所述第一电极层通过所述第一通孔与所述第二辅助层电连接。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,在所述阵列基板的非显示区包括依次设置在所述薄膜晶体管层上的平坦化层、阳极反射层、像素定义层和阴极层,其中,所述第一电极层与所述阴极层同层,所述第一绝缘层与所述平坦化层同层,所述第二绝缘层与所述像素定义层同层,所述阴极层通过所述第一通孔与所述第二辅助层电连接。
8.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,还包括设置于所述第二辅助层和所述第一电极层之间的第一绝缘层和第二绝缘层,所述第一绝缘层具有至少一个第二通孔,暴露部分所述第二辅助层,在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间设置有第二电极层,所述第二电极层通过所述第二通孔与所述第二辅助层电连接,所述第二绝缘层具有至少一个第三通孔,所述第一电极层通过所述第三通孔与所述第二电极层电连接。
9.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,在所述阵列基板的非显示区上包括依次设置在所述薄膜晶体管层上的平坦化层、阳极反射层、像素定义层和阴极层,其中,所述第一绝缘层与平坦化层同层,所述第二绝缘层与所述像素定义层同层,所述第一电极层与所述阴极层同层,所述第二电极层与所述阳极反射层同层,所述阴极层通过所述第三通孔与所述阳极反射层电连接,所述阳极反射层通过所述第二通孔与所述第二辅助层电连接。
10.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述第二辅助层采用电阻率小于所述第一电极层电阻率的材料。
11.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述第二辅助层采用的材料为复合金属材料,为钛、铝、钛三层材料叠加构成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的