[发明专利]一种非接触式硅片减薄厚度测量装置

权利要求书

1.一种非接触式硅片减薄厚度测量装置，其特征在于，设有座架、基板、成对推挽式电容器阵列、载样台、交流恒压源、信号处理电路和控制模块；

基板固定在座架上端且位于载样台上方，成对推挽式电容器阵列设于基板上，载样台设于座架1支承面上，交流恒压源设于座架外部，交流恒压源与基板中的成对推挽式电容传感器及载样台串联形成闭合回路，信号处理电路与所述闭合回路并联，信号处理电路中设有用于传感信号放大的放大器电路、用于去除共模干扰的同步侦测器及减法运算器，控制模块的输入端接信号处理电路输出端，控制模块用于将信号处理电路输出的信号整合为待测硅片或载样台的位置数据信息，并拟合二次曲面。

2.一种非接触式硅片减薄厚度测量装置，其特征在于，所述基板呈水平悬置状态。

3.一种非接触式硅片减薄厚度测量装置，其特征在于，所述成对的推挽式电容传感器为线性或圆周阵列方式排列。

4.一种非接触式硅片减薄厚度测量装置，其特征在于，所述成对推挽式电容传感器阵列的最外圈传感器所处的圆径小于载样台的外径。

5.如权利要求1所述一种非接触式硅片减薄厚度测量装置，其特征在于，所述基板的制备方法，包括以下步骤：

1)剥离工艺制备刻蚀硅基片的铝掩膜层；

2)用深反应离子刻蚀技术在硅基片上刻蚀出熔融玻璃沉积环槽，形成硅柱，并去掉铝掩膜；

3)高真空条件下将玻璃片和硅基片刻蚀完的一面键合；

4)高温条件下完成玻璃片在沉积环槽中的熔融沉积；

5)研磨抛光减薄玻璃层至硅柱露出，只剩沉积环槽中的玻璃；

6)研磨抛光减薄硅基片没刻蚀的一面，直至露出硅柱和沉积环槽中的玻璃，形成带传感器探测电极的基板；

7)硬板掩膜溅射Al电极层，使传感器探测电极成对存在。