[发明专利]三维结构存储元件的制造装置

权利要求书

1.一种三维结构存储元件的制造装置，其特征在于，所述制造装置包括：

用于实行基底加工的腔室；

基底支撑台，其设置于所述腔室内并用于放置所述基底，并通过升降而转换至所述基底出入于所述腔室内部的解除位置和对所述基底进行加工的加工位置；

环形边，当所述基底支撑台处于所述解除位置时，所述环形边位于所述基底的上部，并且所述环形边具有当所述基底支撑台转换至所述加工位置时，对位于所述基底支撑台上部的所述基底的边缘部施压的施压面；

其中所述基底支撑台具有位于所述基底外侧的环状边缘部，

所述环形边具备：位于所述基底支撑台的边缘部上部的支撑部；从所述支撑部向所述基底的边缘部延伸且具有所述施压面的施压部；水平支撑部，其从所述支撑部向所述腔室的侧壁延伸，当所述基底支撑台处于解除位置时，所述水平支撑部置在设置于所述腔室的侧壁的固定突起的上面；以及垂直支撑部，其从所述支撑部向下部延伸，当所述基底支撑台处于解除位置时，与设置于所述腔室的侧壁的所述固定突起的侧面相接触。

2.权利要求1所述的三维结构存储元件的制造装置，其特征在于，所述基底的边缘部相当于从所述基底的边缘向所述基底的内侧0.5mm-3mm的范围。

3.权利要求1或2所述的三维结构存储元件的制造装置，其特征在于，所述环形边为陶瓷材料。

4.权利要求1或2所述的三维结构存储元件的制造装置，其特征在于，还包括喷头，当在所述基底上层叠绝缘层时，所述喷头向所述基底供给选自基于乙基的气体、基于甲基的气体群中的一种以上气体以及选自SiH₄、Si₂H₆、Si₃H₈、Si₄H₁₀群中的一种以上气体而蒸镀SiCO膜，并且，当在所述基底上层叠牺牲层时，所述喷头向所述基底供给选自SiH₄、Si₂H₆、Si₃H₈、Si₄H₁₀、SiCl₂H₂群中的一种以上气体和基于氨的气体而蒸镀氮化膜。

5.权利要求1或2所述的三维结构存储元件的制造装置，其特征在于，还包括喷头，当在所述基底上层叠绝缘层时，所述喷头向所述基底供给选自基于乙基的气体、基于甲基的气体群中的一种以上气体以及选自SiH₄、Si₂H₆、Si₃H₈、Si₄H₁₀群中的一种以上气体而蒸镀SiCO膜，并且，当在所述基底上层叠牺牲层时，所述喷头向所述基底供给选自SiH₄、Si₂H₆、Si₃H₈、Si₄H₁₀、SiCl₂H₂群中的一种以上气体和基于氨的气体、以及选自B₂H₆、PH₃群中的一种以上气体而蒸镀氮化膜。