[发明专利]字线控制电路有效
| 申请号： | 201510007862.1 | 申请日： | 2012-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN104575580B | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 黄世煌 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C8/08 | 分类号： | G11C8/08;G11C11/4094 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司11111 | 代理人： | 张金芝,代峰 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 控制电路 | ||
1.一种字线控制电路，包括：
第一PMOS晶体管，耦接于第一电压端与第一节点之间，具有栅极耦接至第一选择信号；
第一NMOS晶体管，耦接于第二节点与第二电压端之间，具有栅极耦接至反相第一选择信号，其中所述反相第一选择信号是通过反转所述第一选择信号而得；以及
多个字线驱动器，所述多个字线驱动器至少其中之一包括第一反相器及第二反相器，其中所述第一反相器的正电源端耦接至所述第一电压端，所述第一反相器的负电源端耦接至所述第二节点，所述第二反相器的正电源端耦接至所述第一节点，而所述第二反相器的负电源端耦接至所述第二电压端，
所述多个字线驱动器至少其中之一还包括第四PMOS晶体管，具有耦接至该第一电压端的源极，耦接至字线的栅极，以及，耦接至反字线的漏极；
其中，该第一反相器具有耦接至第二选择信号的输入端和耦接至反字线的输出端；以及，该第二反相器具有耦接至该反字线的输入端和耦接至字线的输出端。
2.如权利要求1所述的字线控制电路，其特征在于，所述第一反相器包括：
第二PMOS晶体管，具有源极耦接至所述第一电压端，栅极耦接至第二选择信号，以及漏极耦接至反字线；以及
第二NMOS晶体管，具有源极耦接至所述第二节点，栅极耦接至所述第二选择信号，以及漏极耦接至所述反字线；
且所述第二反相器包括：
第三PMOS晶体管，具有源极耦接至所述第一节点，栅极耦接至所述反字线，以及漏极耦接至所述字线；以及
第三NMOS晶体管，具有源极耦接至所述第二电压端，栅极耦接至所述反字线，以及漏极耦接至所述字线。
3.如权利要求1所述的字线控制电路，其特征在于，当所述字线 控制电路于节能模式下运作，所述第一选择信号具逻辑高电压以关闭所述第一PMOS晶体管与所述第一NMOS晶体管，以将所述第一反相器的输出电压提升至所述逻辑高电压，并将所述第二反相器的输出电压下拉至逻辑低电压。
4.如权利要求1所述的字线控制电路，其特征在于，当所述字线控制电路于启动模式下运作，所述第一选择信号具逻辑低电压以启动所述第一PMOS晶体管与所述第一NMOS晶体管。
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