[发明专利]W/Cu/CuCrZr复合构件的制备方法

权利要求书

1.一种W/Cu/CuCrZr复合构件的制备方法，其特征在于，依次包括工件处理、组装、封焊以及热等静压处理四个步骤，其中：

在所述工件处理步骤中，将W/Cu复合构件和与所述W/Cu复合构件配合使用的CuCrZr构件清洗干净，然后在W/Cu复合构件的待接触面镀上厚度为0～0.2mm金属层和与所述W/Cu复合构件配合使用的CuCrZr构件的待接触面镀上厚度为0.2mm Ni-Mn-Ti层，其中最靠近CuCrZr构件外表面的Ni层厚度为0.1mm，Ni层外表面的Mn层厚度为0.05mm，Mn层外表面的Ti层厚度为0.05mm；

在所述组装步骤中，按W/Cu/CuCrZr复合构件的结构，将CuCrZr构件的待接触面与所述W/Cu复合构件的待接触面配合在一起，然后放入包套中；

在所述封焊步骤中，将装有组装后W/Cu/CuCrZr复合构件的包套抽真空并封焊；

在热等静压处理步骤中，对封焊好的组装后W/Cu/CuCrZr复合构件进行热等静压处理；

在所述热等静压处理步骤中，所述热等静压处理的烧结温度为550～1070℃、烧结压力为20～200MPa、保压时间为2-10h。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述W/Cu/CuCrZr复合构件为W/Cu/CuCrZr复合管；在所述工件处理步骤中，所述W/Cu复合构件为外层为W层、内层为Cu层的管状体，且所述W/Cu复合构件的待接触面为W/Cu复合构件的铜管内表面；所述CuCrZr构件具有管状结构，且所述CuCrZr构件的待接触面为CuCrZr构件的外表面；在所述组装步骤中，所述CuCrZr构件穿入所述W/Cu复合构件的铜管中，且所述W/Cu复合构件的内径与所述CuCrZr构件的外径为松配合。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述松配合是指所述W/Cu复合构件内径与所述CuCrZr构件的外径的差值为大于0mm小于等于2mm。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述松配合是指所述W/Cu复合构件内径与所述CuCrZr构件的外径的差值为0.5-1mm。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述W/Cu/CuCrZr复合构件为W/Cu/CuCrZr复合板；在所述工件处理步骤中，所述W/Cu复合构件为W层和Cu层的复合板，且所述W/Cu复合构件的待接触面为W/Cu复合构件的Cu层；所述CuCrZr构件具有板状结构，且所述CuCrZr构件的待接触面为CuCrZr构件的其中一表面；在所述组装步骤中，所述CuCrZr构件的待接触面与所述W/Cu复合构件的待接触面贴合在一起。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述工件处理步骤中，所述金属层为Ni层、Mn层和Ti层中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述工件处理步骤中，所述金属层的厚度为0.1-0.2mm。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述封焊的气氛为空气或真空；或者所述封焊的气氛为惰性气体或/和还原性气体。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述惰性气体为Ar和/或N₂；所述还原性气体为H₂、CO和NH₃中的一种或多种。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述抽真空具体为：在室温-800℃条件下抽真空至≤10^-2Pa。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述抽真空具体为：在200-300℃条件下抽真空至≤10^-3Pa。

12.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述热等静压处理的烧结温度为550～650℃、烧结压力为80～120MPa、保压时间为2-3h。