[发明专利]一种低阻大电流DMOS器件芯片级CSP封装方法

权利要求书

1. 一种低阻大电流 DMOS 器件芯片级 CSP 封装方法，其特征在于它包括以下步骤 ：（一）大电流 MOS器件的表层绝缘层制作及电极引线制作 ：对已经制作好的、含有若干个单体大电流功率 MOS 器件的晶片上的每个单体大电流功率 MOS 器件制作生成多层金属层构成的金属引线电极和表面绝缘层；本步骤包括以下步骤 ：

1）在制备好的晶片表层进行氧化形成氧化层，并在氧化层上旋涂光敏聚酰亚胺 ；

2）在每个单体大电流功率 MOS 器件相应的管脚位置光刻引线孔，并在引线孔上设置金属互连层；

3）在步骤 2）的金属互连层表面设置金属粘附层；

4）在步骤 3）的每个单体大电流功率 MOS 器件的氧化层表面生成表面绝缘层，并留出引线孔；

5）在步骤 4）的金属粘附层表面设置自下而上层叠的金属阻挡层和导电层；

（二）大电流 MOS 器件的背部绝缘保护层制作 ：将步骤（一）中的每个单体大电流功率 MOS 器件的背面制作生成背部绝缘保护层；

（三）大电流 MOS 器件的侧面绝缘保护层制作 ：将步骤（二）中的带有若干个单体大电流功率MOS 器件的晶片以一个单体大电流功率MOS 器件为单位进行挖深槽，然后再在深槽内填充绝缘保护物质，制作形成每个单体大电流功率 MOS 器件的侧面绝缘保护层；

（四）单体大电流功率 MOS 器件分割：将步骤（三）中封装好的整个晶片以深槽为分割线进行分割，形成若干个单体大电流功率 MOS 器件。

2.根据权利要求 1 所述的一种低阻大电流 DMOS 器件芯片级 CSP 封装方法，其特征在于 ：所述步骤 2）中的金属互连层为淀积金属铝后形成的铝焊区；

步骤 3）中金属粘附层为 钨、金、铜中的一种通过反应离子刻蚀而形成；

步骤 4）中的表层绝缘层为两层光敏聚酰亚胺层；

步骤 5）中的金属阻挡层为电镀金属铜而形成的，导电层为电镀锑、锡、镍、金中 的一种。

3.根据权利要求 1 或2 所述的一种低阻大电流 DMOS 器件芯片级 CSP 封装方法，其特征在于 ：所述步骤（三）包括以下步骤：①用DISC 划片机或宽激光划片机在晶片上以完整的单体大电流功率 MOS 器件为单元刻出深槽；②在深槽内填充绝缘物质，并光刻留出各个金属引线电极处的镀焊孔。

4.根据权利要求1或2 所述的一种低阻大电流 DMOS 器件芯片级 CSP 封装方法，其特征在于：所述背部绝缘保护层、侧面绝缘保护层与表层绝缘层相同，均为光敏聚酰亚胺层。

5.根据权利要求 3所述的一种低阻大电流 DMOS 器件芯片级 CSP 封装方法，其特征在于：所述步骤（四）首先需要对步骤（三）的晶片上所有单体大电流功率 MOS 器件进行器件性能测试，测试合格后通过 DISC 划片机或宽激光划片机进行分割，得到若干个独立的功率 MOS 器件。

6.一种低阻大电流 DMOS 器件芯片级 CSP 封装方法，其特征在于它包括以下步骤：（A）大电流 MOS 器件的背部绝缘保护层制作：在已经制作好的、含有若干个单体大电流功率 MOS 器件的晶片的背面制作生成背部绝缘保护层；

（B）大电流 MOS 器件的表层绝缘层制作及电极引线制作：对步骤（A）中的每个单体大电流功率 MOS 器件制作生成多层金属层构成的金属引线电极和表面绝缘层；本步骤包括以下步骤 ：

1）在制备好的晶片表层进行氧化形成氧化层，并在氧化层上旋涂光敏聚酰亚胺 ；

2）在每个单体大电流功率 MOS 器件相应的管脚位置光刻引线孔，并在引线孔上设置金属互连层 ；

3）在步骤 2）的金属互连层表面设置金属粘附层 ；

4）在步骤 3）的每个单体大电流功率 MOS 器件的氧化层表面生成表面绝缘层，并留出引线孔 ；

5）在步骤 4）的金属粘附层表面设置自下而上层叠的金属阻挡层和导电层；

（C）大电流 MOS 器件的侧面绝缘保护层制作：将步骤（B）中的带有若干个单体大电流功率MOS 器件的晶片以一个单体大电流功率 MOS 器件为单位进行挖深槽，然后再在深槽内填充绝缘保护物质，制作形成每个单体大电流功率 MOS 器件的侧面绝缘保护层；

（D）单体大电流功率 MOS 器件分割：将步骤（C）中封装好的整个晶片以深槽为分割线进 行分割，形成若干个单体大电流功率 MOS 器件。