[发明专利]半导体发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

发光二极管芯片，其具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面以及在第一主表面与第二主表面之间延伸的一个或多个侧表面；

多个电极，其设置在所述第一主表面上；

波长转换膜，其设置在所述第二主表面上，其中，标记形成在所述波长转换膜中，并且

所述标记含有所述发光器件的取向信息，从而使得所述发光器件能够在接收衬底上合适地取向。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述标记是形成在所述波长转换膜的周边部分中的孔。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述孔填充有标记材料。

4.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述标记材料是反射性材料。

5.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述标记材料的颜色与所述波长转换膜的颜色不同。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述标记包括有色标记材料。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述标记包括油墨。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述波长转换膜包括磷光体膜。

9.根据权利要求1所述的发光器件，还包括包围所述发光二极管芯片的一个或多个侧表面的反射结构。

10.根据权利要求9所述的发光器件，其中，所述反射结构具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面，并且

所述发光二极管芯片的第一主表面和所述反射结构的第一主表面实质上共面。

11.根据权利要求9所述的发光器件，其中，所述反射结构具有沿着第一方向延伸的第一主表面和相对的第二主表面以及沿着实质上垂直于所述第一方向的第二方向在所述反射结构的第一主表面与第二主表面之间延伸的一个或多个外侧表面；

所述波长转换膜具有沿着所述第一方向延伸的第一主表面和相对的第二主表面以及沿着所述第二方向在所述波长转换膜的第一主表面与第二主表面之间延伸的一个或多个侧表面；并且

所述反射结构的外侧表面和所述波长转换膜的侧表面沿着所述第二方向实质上对齐。

12.根据权利要求1所述的发光器件，还包括形成在所述波长转换膜的周边部分中的至少一个额外标记。

13.根据权利要求9所述的发光器件，其中，所述反射结构具有沿着第一方向延伸的第一主表面和相对的第二主表面以及沿着实质上垂直于所述第一方向的第二方向在所述反射结构的第一主表面与第二主表面之间延伸的开口，其中，所述开口包围所述发光二极管芯片。

14.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述标记位于所述波长转换膜的周边部分中。

15.一种发光器件，包括：

发光二极管芯片；以及

形成在所述发光器件的周边部分中的标记，

所述发光二极管芯片包括：

第一导电类型的氮化物半导体基底层，其形成在衬底上；以及

彼此间隔开的多个纳米发光结构，它们形成在所述氮化物半导体基底层上，

其中，每个纳米发光结构包括：

纳米核，其包括第一导电类型的氮化物半导体；

有源层，其设置在所述纳米核上；以及

第二导电类型的氮化物半导体层，其设置在有所述源层上。

16.根据权利要求15所述的发光器件，还包括设置在所述多个纳米发光结构的第二导电类型的氮化物半导体层上的接触电极。

17.根据权利要求16所述的发光器件，还包括：

第一电极，其与所述氮化物半导体基底层接触；以及

第二电极，其与所述接触电极接触。

18.根据权利要求17所述的发光器件，还包括设置在所述接触电极上的绝缘层。

19.根据权利要求15所述的发光器件，其中，所述标记是形成在所述发光器件的周边部分中的孔。

20.根据权利要求19所述的发光器件，其中，所述孔填充有标记材料。

21.根据权利要求20所述的发光器件，其中，所述标记材料包括反射性材料或有色标记材料。