[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

(a)在半导体基板的主表面的第一区域中形成第一光电转换元件，所述第一光电转换元件适合接收第一入射光并将所述第一入射光转换成电荷，并且在所述半导体基板的所述主表面的第二区域中形成第二光电转换元件，所述第二光电转换元件适合接收第二入射光并将所述第二入射光转换成电荷，所述第二入射光的颜色不同于所述第一入射光的颜色；

(b)在所述第一光电转换元件和所述第二光电转换元件上方形成第一膜；

(c)在所述第一膜上方形成第二膜；

(d)通过蚀刻所述第二膜和所述第一膜，在所述第一区域中形成第一开口，并且在所述第二区域中形成第二开口，所述第一开口在穿透所述第二膜的同时到达所述第一膜的位于所述第一光电转换元件上方的部分的中途点，所述第二开口在穿透所述第二膜的同时到达所述第一膜的位于所述第二光电转换元件上方的部分的中途点；

(e)形成第三膜以用所述第三膜填充所述第一开口和所述第二开口，

其中，在所述步骤(e)中，提供第一光波导以将所述第一入射光导向所述第一光电转换元件，所述第一光波导由所述第三膜的填充所述第一开口的部分形成，并且提供第二光波导以将所述第二入射光导向所述第二光电转换元件，所述第二光波导由所述第三膜的填充所述第二开口的部分形成，并且

其中，在所述步骤(c)中，形成所述第二膜，使得所述第二膜的位于所述第一区域中的所述第一光电转换元件上方的部分的第一厚度比所述第二膜的位于所述第二区域中的所述第二光电转换元件上方的部分的第二厚度薄，由此所述第一开口的底表面的第一高度位置比所述第二开口的底表面的第二高度位置低。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，所述步骤(c)包括以下步骤：

(c1)在所述第一膜上方沉积所述第二膜；并且

(c2)在所述步骤(c1)之后，蚀刻所述第二膜，使得所述第一厚度比所述第二厚度薄。

3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，在所述步骤(d)中，当形成所述第一开口时，形成所述第二开口。

4.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，所述第二膜由碳氮化硅制成。

5.根据权利要求4所述的制造半导体器件的方法，其中，在所述步骤(d)中，使用包含氟的气体蚀刻所述第二膜和所述第一膜。

6.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，在所述步骤(a)中，在所述半导体基板的所述主表面的第三区域中形成第三光电转换元件，所述第三光电转换元件适合接收第三入射光并将所述第三入射光转换成电荷，所述第三入射光的颜色不同于所述第一入射光和所述第二入射光的颜色，

其中，在所述步骤(b)中，在所述第三光电转换元件上方形成所述第一膜，

其中，在所述步骤(d)中，在所述第三区域中形成第三开口，以在穿透所述第二膜的同时到达所述第一膜的位于所述第三光电转换元件上方的部分的中途点，

其中，在所述步骤(e)中，形成所述第三膜以填充所述第三开口，并且提供第三光波导以将所述第三入射光导向所述第三光电转换元件，所述第三光波导由所述第三膜的填充所述第三开口的部分形成，

其中，所述第一入射光的波长比所述第二入射光的波长长，

其中，所述第二入射光的波长比所述第三入射光的波长长，

其中，在所述步骤(c)中，形成所述第二膜，使得所述第二厚度比所述第二膜的位于所述第三区域中的所述第三光电转换元件上方的部分的第三厚度薄，并且

其中，所述第二高度位置比所述第三开口的底表面的第三高度位置低。

7.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，进一步包括以下步骤：

(f)在所述步骤(c)之后并且在所述步骤(d)之前，在所述第二膜上方形成第四膜，

其中，在所述步骤(d)中，蚀刻所述第四膜、所述第二膜和所述第一膜，由此在所述第一区域中形成所述第一开口，以在穿透所述第四膜和所述第二膜的同时到达所述第一膜的位于所述第一光电转换元件上方的部分的中途点，并且在所述第二区域中形成所述第二开口，以在穿透所述第四膜和所述第二膜的同时到达所述第一膜的位于所述第二光电转换元件上方的部分的中途点。