[发明专利]绝缘衬底上厚膜硅材料泊松比测试结构

权利要求书

1.一种绝缘衬底上厚膜硅材料泊松比测试结构，其特征在于该测试结构由两部分组成：包括用于悬挂扭转结构的多晶硅固支梁(102)和扭转结构(101)；

所述用于悬挂扭转结构的多晶硅固支梁(102)由第一锚区(102-2)、第二锚区(102-4)和一个宽短梁(102-3)连接而成，其中该两个锚区分别位于由厚膜硅制作的第一支撑孤岛(102-1)、第二支撑孤岛(102-5)上，第一支撑孤岛(102-1)、第一支撑孤岛(102-5)通过绝缘衬底上厚膜硅材料的二氧化硅绝缘层(100-2)固定在大衬底(100-1)上；

所述扭转结构(101)由静电驱动的扭转杆和左右两个限位结构组成，扭转结构(101)被位于中心的扭转梁(101-8)分为左右两部分，左右两部分的结构以扭转梁(101-8)的中心圆点对称；其中，静电驱动的扭转杆包括第一静电驱动电极(101-2)、第二静电驱动电极(101-3)和水平凸凹梁组成，水平凸凹梁由五段水平梁连接而成，自左向右分别为第一水平直梁(101-6)、第二水平直梁(101-7)、扭转梁(101-8)、第三水平直梁(101-9)和第四水平直梁(101-10)，在五段水平梁中，第一水平直梁(101-6)、扭转梁(101-8)和第四水平直梁(101-10)厚度相同，均为绝缘衬底上的厚膜硅的硅层厚度；第二水平直梁(101-7)、第三水平直梁(101-9)厚度相同，厚度小于绝缘衬底上的厚膜硅的硅层厚度，其厚度差为扭转梁(101-8)的设计厚度，五段水平梁的下平面在同一平面上，所有梁的宽度相同；上下两个静电驱动电极即第一静电驱动电极(101-2)、第二静电驱动电极(101-3)分别位于第一水平直梁(101-6)的左下端和第四水平直梁(101-10)的右上端，从扭转杆的中心到第一静电驱动电极(101-2)、第二静电驱动电极(101-3)的水平中分线的长度为L1；限位结构由第五水平直梁(101-5)、第六水平直梁(101-11)和第一止挡块(101-1)、第二止挡块(101-4)构成，左边限位结构的第五水平直梁(101-5)右端连接到第一水平直梁(101-6)的左端，两个梁的上边界平齐，止挡块(101-1)位于第五水平直梁(101-5)左端下方；右边限位结构的第六水平直梁(101-11)左端连接到第四水平直梁(101-10)的右端，两个梁的下边界平齐，止挡块(101-4)位于第六水平直梁(101-11)右端上方；从第一静电驱动电极(101-2)、第二静电驱动电极(101-3)的水平中分线到第五水平直梁(101-5)、第六水平直梁(101-11)末端的长度为L2；第一静电驱动电极(101-2)的左边线与第一水平直梁(101-6)的左边线对齐，第二静电驱动电极(101-3)的右边线与第四水平直梁(101-10)的右边线对齐；

扭转结构中的扭转梁(101-8)的上端面垂直连接到多晶硅固支梁(102)的中心位置，形成悬挂-扭转结构。