[发明专利]单芯片双轴水平光纤加速度传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种单芯片双轴水平光纤加速度传感器，其特征在于，所述单芯片双轴水平光纤加速度传感器至少包括：

第一基底，用于形成具有两个单轴水平加速度敏感单元的双轴水平加速度敏感芯片，两个单轴水平加速度敏感单元的敏感方向正交；所述单轴水平加速度敏感单元包含微反光镜、弹性梁以及光高反射膜，所述微反光镜由所述弹性梁支撑、其重心在所述弹性梁轴线正下方，所述弹性梁的两端分别与所述微反光镜和支撑框连接，所述光高反射膜附着在所述微反光镜上；

第二基底，形成微反光镜扭转空间，作为晶圆级封装；

以及光纤准直器，与所述双轴水平加速度敏感芯片通过同一封装管壳封装。

2.根据权利要求1所述的单芯片双轴水平光纤加速度传感器，其特征在于：所述双轴水平加速度敏感芯片的对加速度的敏感方向与所述的双轴水平加速度敏感芯片平面平行。

3.根据权利要求1所述的单芯片双轴水平光纤加速度传感器，其特征在于：所述的双轴水平加速度敏感芯片将水平方向的加速度转化为所述微反光镜的扭转角。

4.根据权利要求1所述的单芯片双轴水平光纤加速度传感器，其特征在于：所述单芯片双轴水平光纤加速度传感器包括两个光纤准直器，位于所述双轴水平加速度敏感芯片的同一侧。

5.根据权利要求1所述的单芯片双轴水平光纤加速度传感器，其特征在于：利用所述光纤准直器对入射光耦合特性和所述双轴水平加速度敏感芯片实现单芯片双轴水平光纤加速度传感器。

6.根据权利要求1所述的单芯片双轴水平光纤加速度传感器，其特征在于：利用所述光纤准直器对入射光耦合特性和所述的单轴水平加速度敏感单元实现单轴水平光纤加速度传感器。

7.根据权利要求1所述的单芯片双轴水平光纤加速度传感器，其特征在于：所述的光纤准直器包括单光纤准直器或双光纤准直器。

8.一种如权利要求1～7任意一项所述的单芯片双轴水平光纤加速度传感器的制备方法，其特征在于，所述单芯片双轴水平光纤加速度传感器的制备方法至少包括以下步骤：

提供第一基底，在所述第一基底表面深刻蚀，形成第一微反光镜扭转空间；

提供第二基底，在所述第二基底表面形成第二微反光镜扭转空间；

将所述第一基底与第二基底键合，形成键合片；

在所述第一基底表面形成光高反射膜；

在所述第一基底上形成两个加速度敏感方向相互正交的单轴水平加速度敏感单元；

对所述键合片划片，形成双轴水平加速度敏感芯片；通过封装管壳将所述双轴水平加速度敏感芯片和光纤准直器进行光学耦合封装，形成单芯片双轴水平光纤加速度传感器。

9.根据权利要求8所述的单芯片双轴水平光纤加速度传感器的制备方法，其特征在于：所述光高反射膜附着在所述单轴水平加速度敏感单元上。