[发明专利]半导体器件和方法有效
| 申请号： | 201510010132.7 | 申请日： | 2015-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN104779281B | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | G·库拉托拉 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
第一化合物半导体材料，包括第一掺杂浓度；
第二化合物半导体材料，在所述第一化合物半导体材料上，所述第二化合物半导体材料包括与所述第一化合物半导体材料不同的材料；
控制电极；
至少一个掩埋半导体材料区域，包括不同于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度，其中所述至少一个掩埋半导体材料区域被设置在所述第一化合物半导体材料中的除了所述第一化合物半导体材料被所述控制电极覆盖的区域之外的区域中，以及
第一电流电极和第二电流电极，其中在横向方向上，所述至少一个掩埋半导体材料区域被布置在所述第一电流电极和所述控制电极之间，
其中所述至少一个掩埋半导体材料区域包括p-型掺杂剂材料。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述至少一个掩埋半导体材料区域在横向方向上从所述第一电流电极延伸到所述控制电极。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述p-型掺杂剂材料包括掺杂浓度N，其中N>5·1017cm-3。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述p-型掺杂剂材料包括B、Al、Ga、Mg、Fe、Cr、Cd以及Zn中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述至少一个掩埋半导体材料区域是浮动的。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述至少一个掩埋半导体材料区域被电耦合到固定电势。
7.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述至少一个掩埋半导体材料区域被电耦合到所述第二电流电极。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，进一步包括至少一个耦合部件，用于将所述至少一个掩埋半导体材料区域电耦合到所述第二电流电极。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一化合物半导体材料包括第一带隙并且所述第二化合物半导体材料包括第二带隙，所述第二带隙不同于所述第一带隙。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一化合物半导体材料包括GaN。
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二化合物半导体材料包括AlGaN。
12.一种半导体器件，包括：
第一化合物半导体材料，包括第一掺杂浓度；
第二化合物半导体材料，在所述第一化合物半导体材料上，所述第二化合物半导体材料包括与所述第一化合物半导体材料不同的材料并且提供与所述第一化合物半导体材料的异质结；以及
至少一个掩埋半导体材料区域，包括不同于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度，其中所述至少一个掩埋半导体材料区域被设置在所述第一化合物半导体材料中，与所述异质结相距的距离d在0.25μm≤d≤0.7μm的范围内，以及
第一电流电极、第二电流电极以及控制电极，其中在横向方向上，所述至少一个掩埋半导体材料区域被布置在所述第一电流电极和所述控制电极之间，
其中所述至少一个掩埋半导体材料区域包括p-型掺杂剂材料。
13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中所述至少一个掩埋半导体材料区域被电耦合到所述第二电流电极。
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