[发明专利]一种具有自激吸引子与隐吸引子的忆阻混沌信号产生电路在审
| 申请号： | 201510010314.4 | 申请日： | 2015-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN104486064A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 陈墨;包伯成;于晶晶;徐权 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | H04L9/00 | 分类号： | H04L9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213164 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 吸引 混沌 信号 产生 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有自激吸引子与隐吸引子的忆阻混沌信号产生电路，其特征在于：包括负阻G、电阻R1，电容C1、电容C2、电感L、二极管桥级联一阶RC滤波器构成的广义忆阻器GM；其中，负阻G、二极管桥级联一阶RC滤波器构成的广义忆阻器GM与电容C1并联，其正、负极端分别记做a、b端；电感L与电容C2并联，其正、负极端分别记做c、d端；耦合电阻R1跨接在a、c两端之间。
2.根据权利要求1所述的一种具有自激吸引子与隐吸引子的忆阻混沌信号产生电路，其特征在于：当R1＝1.5kΩ，G＝0.71mS，L＝17.2mH，C1＝10nF，C2＝100nF，R＝1kΩ，C＝10nF时，电路可以产生自激吸引子，其中可以观测到双涡卷混沌吸引子、多周期极限环、分岔共存单涡卷混沌吸引子、分岔共存极限环等复杂非线性现象。
3.根据权利要求1所述的一种具有自激吸引子与隐吸引子的忆阻混沌信号产生电路，其特征在于：当R1＝1.96kΩ，G＝0.56mS，L＝80mH，C1＝22nF，C2＝113nF，R＝0.8kΩ，C＝1μF时，电路可以产生隐吸引子，其中可以观测到双涡卷混沌吸引子、多周期极限环、分岔共存单涡卷吸引子、分岔共存极限环等复杂非线性现象。
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