[发明专利]搭接电阻的测量

说明书

本发明涉及搭接电阻的测量。一种用于确定包括四个晶体管（HS1、HS2、LS1、LS2）的H桥（2）的接触电阻（Rab、Rcd、Ref、Rgh）的方法，每个晶体管具有到两个邻近晶体管的连接的点（4、B、D、F、H），在每种情况中在位于两个晶体管之间的连接点与访问端子（8、A、C、E、G）之间产生搭接（6），其特征在于其包括以下步骤：作用于桥的晶体管的打开/闭合状态，使得在对应于访问端子的连接点的任一侧的晶体管打开，向访问端子施加所确定的电压，确定流过对应于所述访问端子的搭接的电流，如果与所述访问端子邻近的访问端子尚未被连接至地，则将此访问端子接地，以及测量另一邻近访问端子处的电压。

技术领域

本发明一般地涉及电感负载的供应，并且更特别地涉及测量和检测开关结构的搭接（bonding）电阻中的一个或多个异常，所述开关结构诸如晶体管桥，例如适于驱动电感负载中的确定值的电流。

本发明发现特别地在汽车领域中的应用。其可用来例如控制（一个或多个）开关连接结构，诸如H桥。此类结构用来控制例如电动机的电感负载中的电流的方向和/或强度。这些电动机可在诸如电子节气门控制（ETC）的致动器的电子控制系统中使用，或者更一般地由诸如电动窗的电动机致动的任何其他设备中使用。

背景技术

图1示意性地图示出借助于（H桥式的）开关结构2以已知方式进行的电感负载10（电动机等）的控制。此类开关结构2特别地包括四个电力开关HS1、HS2、LS1和LS2，每个开关一般地由MOS（金属氧化物半导体）功率晶体管形成。在处于由H桥的电子部件本身组成的“部件”层上面的系统的“控制”层中管理这四个晶体管。用于每个晶体管的控制信号序列是例如基于设定点控制信号根据所确定策略而产生的。此策略使得在留下控制的某些组合或某些集合不使用的情况中借助于控制的集合而以某些确定配置来控制H桥。

组成H桥的控制结构的部件一般地被集成到称为集成电路的封装中。此类电路是借助于来源于微电子学的设计和组装技术而设计的。为了增加性能和降低成本，一般地集成电路且特别是意图用于汽车工业的集成电路一直面临减小它们的大小并增加它们的集成及它们的性能的需要，这有时可能引起电路中的过热的问题。

集成电路、诸如图1中所示的H桥2中的一个加热源是此电路到用于访问电路、例如以便为其供应电并将其连接到相应负载的端子的连接。在图1中所示的情况中，晶体管HS1、HS2、LS1和LS2一方面被连接到输送电压Vbat的电池3并且连接到诸如地GND之类的参考电压，并且另一方面被连接到电感负载10。在每种情况中，在两个晶体管之间的连接的点4与用于访问H桥2的端子8之间产生称为搭接6的连接。这些搭接6向电路中引入电阻，其然后在电路的操作期间通过焦耳效应释放热。

多个连接技术是可能的且其对于本领域的技术人员而言是众所周知的，例如称为导线接合的借助于导电导线的连接的技术，使用金属导线来连接各种部件。为了优化各种元件之间的搭接和/或使得它们更加可靠，使用多个连接导线是可能的，其然后被并联地连接。

例如，在电动机的控制期间，预定组合激活H桥2的某些成对控制晶体管并使得不同强度的电流流过相应连接导线，其可由于强电流的通过而产生过热。此过热主要在连接导线处引起局部化的温度增加，并且产生正在讨论中的连接导线的内部电阻的相对大的变化，在某些情况中使得其中断。

如果连接导线被不良地连接，则也称为接触电阻的相应搭接的总电阻受到影响。理想地，应例如通过测量相应接触电阻来检查每个连接导线的良好连接。能够单独地且独立地测试搭接是有必要的，以便标识至少一个导线是否是有缺陷的。

可基于所使用导线的长度（用于最坏情况的最大值）和直径（用于最坏情况的最小值）的知识在理论上估计搭接电阻，所使用的材料是已知的。可使用最大理论值作为用于测量的比较参考。

发明内容

本发明的目的是提供用于通过测量H桥的搭接处的接触电阻来确定是否正确地产生了所有内部连接的手段。