[发明专利]正方晶格慢光光子带隙光纤有效

专利信息
申请号: 201510011258.6 申请日: 2015-01-09
公开(公告)号: CN104503019B 公开(公告)日: 2017-12-12
发明(设计)人: 侯金 申请(专利权)人: 中南民族大学
主分类号: G02B6/02 分类号: G02B6/02
代理公司: 北京捷诚信通专利事务所(普通合伙)11221 代理人: 魏殿绅,庞炳良
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 正方 晶格 光子 光纤
【权利要求书】:

1.一种正方晶格慢光光子带隙光纤,包括纤芯和包层,其特征在于:所述包层包括由若干正方晶格周期结构形成的封闭区域,所述纤芯为封闭区域的中心缺失的缺陷区域;每个正方晶格周期结构均采用折射率大于2.24的材料A和折射率为1~1.5的材料B制成,B填充于A的内部,A/B>2.24;所述纤芯采用折射率大于等于1的材料制成;

所述每个正方晶格周期结构的四个顶角处均设置有环形柱,相邻环形柱之间通过连接杆连接,环形柱和连接杆均采用材料A制成;所述环形柱的外部半径为0.2~0.45a,a为正方晶格的周期;所述环形柱的内部半径为0~0.27a,当环形柱的内部半径为零时,环形柱为实心圆形柱,当环形柱的内部半径为非零时,环形柱为空心圆形柱;所述连接杆的宽度小于0.22a。

2.如权利要求1所述的正方晶格慢光光子带隙光纤,其特征在于:所述材料A为硫族化合物,所述材料B为空气,所述纤芯采用空气制成。

3.如权利要求2所述的正方晶格慢光光子带隙光纤,其特征在于:所述环形柱为实心圆形柱,所述材料A采用为折射率为2.8的硫族化合物;所述环形柱外部半径为0.33a,所述连接杆的宽度为0.1a。

4.如权利要求3所述的正方晶格慢光光子带隙光纤,其特征在于:所述包层周期结构的归一化完全光子带隙宽度为7.36%。

5.如权利要求2所述的正方晶格慢光光子带隙光纤,其特征在于:所述环形柱为空心圆形柱,所述材料A采用为折射率为2.8的硫族化合物;所述连接杆的宽度D为0.05a,所述环形柱外部半径为D·sqrt(2)+0.29a,内部半径为0.14a,sqrt代表平方根计算。

6.如权利要求5所述的正方晶格慢光光子带隙光纤,其特征在于:所述包层周期结构的归一化完全光子带隙宽度为13.45%。

7.如权利要求2至6任一项所述的正方晶格慢光光子带隙光纤,其特征在于:所述材料A为玻璃。

8.如权利要求1至6任一项所述的正方晶格慢光光子带隙光纤,其特征在于:所述纤芯的缺陷区域的形成方式为:包层的封闭区域在中心去掉至少1个正方晶格周期结构产生完整周期结构的缺陷区域。

9.如权利要求1至6任一项所述的正方晶格慢光光子带隙光纤,其特征在于:所述纤芯的缺陷区域的形成方式为:包层的封闭区域在中心改变至少1个正方晶格周期结构产生完整周期结构的缺陷区域。

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