[发明专利]发光二极管‑半导体元件有效
| 申请号： | 201510011692.4 | 申请日： | 2015-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN104821353B | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | D·富尔曼;F·敦泽尔 | 申请（专利权）人： | 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 曾立 |
| 地址： | 德国海*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 半导体 元件 | ||
1.一种发光二极管-半导体元件(LEDA)，其具有：
n型掺杂的衬底层(SUB)，
n型掺杂的第一外套层(N-MAN)，其中，所述第一外套层(N-MAN)设置在所述衬底层(SUB)上，
主动层(AKT)，其中，所述主动层(AKT)包括发光层并且设置在所述第一外套层(N-MAN)上，
p型掺杂的第二外套层(P-MAN)，其中，所述第二外套层(P-MAN)设置在所述主动层上，
p型掺杂的电流扩张层，其中，所述电流扩张层(P-VERT)设置在所述第二外套层(P-MAN)上，
p型掺杂的接触层(P-KON)，其中，所述p型掺杂的接触层(P-KON)设置在所述电流扩张层(P-VERT)上，
所述p型掺杂的接触层(P-KON)由含铝层组成并且具有碳作为掺杂物，
其特征在于，在所述接触层(P-KON)中铝浓度比在所述电流扩张层(P-VERT)中更大，并且设置在所述衬底层(SUB)上的外套层(N-MAN，P-MAN)和所述电流扩张层(P-VERT)分别包括AlGaAs化合物。
2.根据权利要求1所述的发光二极管-半导体元件(LEDA)，其特征在于，所述接触层(P-KON)由AlxGa1-xAs组成并且具有x>0.1的铝含量。
3.根据权利要求1-2中任一项所述的发光二极管-半导体元件(LEDA)，其特征在于，所述接触层(P-KON)中的碳浓度大于2.5x1019。
4.根据权利要求1-2中任一项所述的发光二极管-半导体元件(LEDA)，其特征在于，所述接触层(P-KON)的厚度小于100nm。
5.根据权利要求1-2中任一项所述的发光二极管-半导体元件(LEDA)，其特征在于，所述衬底层(SUB)包括锗或砷化镓。
6.根据权利要求1-2中任一项所述的发光二极管-半导体元件(LEDA)，其特征在于，所述发光层发出在红外光谱范围内的光。
7.根据权利要求1-2中任一项所述的发光二极管-半导体元件(LEDA)，其特征在于，所述发光层发出在750nm和1000nm之间的光谱范围内的光。
8.根据权利要求1-2中任一项所述的发光二极管-半导体元件(LEDA)，其特征在于，所述发光层包括多量子阱结构。
9.根据权利要求8所述的发光二极管-半导体元件(LEDA)，其特征在于，所述多量子阱结构包括GaAs和/或AlGaAs和/或InGaAs和/或GaAsP和/或InGaAsP和/或InAlGaAs化合物。
10.根据权利要求1-2中任一项所述的发光二极管-半导体元件(LEDA)，其特征在于，所述电流扩张层具有和所述第二外套层(P-MAN)不同的化学组成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司，未经阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510011692.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光器件封装件
- 下一篇：III族半导体发光器件倒装结构的制作方法
