[发明专利]一种可实现磁性薄膜磁矩非易失性取向的调制方法

权利要求书

1.一种多铁异质结，包括多晶PZT陶瓷基片，所述多晶PZT陶瓷基片的一面涂覆导电银胶并固化后作为电极，另一面抛光后镀或者粘接具有磁致伸缩特性的磁性薄膜，其特征在于，所述多晶PZT陶瓷基片为含有缺陷偶极子的多晶PZT陶瓷基片，所述含有缺陷偶极子的多晶PZT陶瓷基片是通过对多晶PZT陶瓷基片进行受主掺杂后，再经过极化和老化处理得到；

所述含有缺陷偶极子的多晶PZT陶瓷基片的矫顽电场为Ec，当在所述多铁异质结的两电极间施加大于或等于2Ec的正向电压，持续10秒以上，去掉外加电压，此时多铁异质结得到一种状态；当在所述多铁异质结的两电极间施加大于或等于2Ec的反向电压，持续10秒以上，去掉外加电压，此时多铁异质结得到另一种状态；当在所述多铁异质结的两电极间先施加大于或等于2Ec的反向电压，持续10秒以上，去掉外加电压，然后再施加90％～95％Ec的正向电压，持续10秒以上，去掉外加电压，此时多铁异质结得到第三种状态；所述多铁异质结在三种不同状态下，含有缺陷偶极子的多晶PZT压电陶瓷基片中会产生三种不同的残余应变状态，从而对其上沉积或粘接的磁性薄膜的磁矩产生三种不同的非易失性磁矩调控效果。

2.根据权利要求1所述的多铁异质结，其特征在于，所述具有磁致伸缩特性的磁性薄膜导电时，可采用溅射、蒸镀的方法直接将磁性薄膜沉积于含有缺陷偶极子的多晶PZT压电陶瓷基片抛光后的一面上。

3.根据权利要求1所述的多铁异质结，其特征在于，所述具有磁致伸缩特性的磁性薄膜不导电或者采用粘接的方式制备异质结时，其具体过程为：首先在含有缺陷偶极子的多晶PZT压电陶瓷基片抛光后的一面上先镀一层厚度为20nm～500nm的金属电极作为上电极，然后在金属电极上直接沉积磁性薄膜，或者粘接磁性薄膜，所述磁性薄膜不能完全覆盖所述金属电极。

4.根据权利要求1所述的多铁异质结，其特征在于，所述含有缺陷偶极子的多晶PZT压电陶瓷基片的厚度为0.25mm～1mm。

5.根据权利要求1所述的多铁异质结，其特征在于，所述导电银胶为市售的低温固化银胶。

6.根据权利要求1所述的多铁异质结，其特征在于，当调控所述多铁异质结面内的磁矩取向时，所述含有缺陷偶极子的多晶PZT陶瓷基片X和Y方向上的尺寸有3倍以上的差异。

7.一种基于权利要求1所述的多铁异质结实现磁性薄膜磁矩非易失性取向的调制方法，其特征在于，所述含有缺陷偶极子的多晶PZT陶瓷基片的矫顽电场为Ec，当在所述多铁异质结的两电极间施加大于或等于2Ec的正向电压，持续10秒以上，去掉外加电压，此时多铁异质结得到一种状态；当在所述多铁异质结的两电极间施加大于或等于2Ec的反向电压，持续10秒以上，去掉外加电压，此时多铁异质结得到另一种状态；当在所述多铁异质结的两电极间先施加大于或等于2Ec的反向电压，持续10秒以上，去掉外加电压，然后再施加90％～95％Ec的正向电压，持续10秒以上，去掉外加电压，此时多铁异质结得到第三种状态；所述多铁异质结在三种不同状态下，含有缺陷偶极子的多晶PZT压电陶瓷基片中会产生三种不同的残余应变状态，从而对其上沉积或粘接的磁性薄膜的磁矩产生三种不同的非易失性磁矩调控效果。