[发明专利]一种超疏水凹角T状微柱结构的制备方法

权利要求书

1.一种超疏水凹角T状微柱结构的制备方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：

(a)在基片(1)的一个表面旋凃第一层光刻胶(2)，并执行显影操作得到第一圆孔阵列；

(b)在所述步骤(a)得到的结构中含光刻胶的表面依次沉积粘附层(3)和种子层(4)；

(c)在所述步骤(a)中获得的第一圆孔阵列的表面旋凃第二层光刻胶(5)，并执行显影操作得到第二圆孔阵列，由此得到T状圆孔阵列；

(d)对所述第一圆孔阵列和所述第二圆孔阵列进行电镀填充，得到金属的T状微柱结构(6)；

(e)去除光刻胶及多余粘附层、种子层；

(f)并在所述T状微柱结构(6)的表面沉积一层保护层(7)；

(g)去除所述T状微柱结构(6)的横状伸出部分并保留柱状结构和所述凹角状的保护层(7)，由此得到凹角T状微柱结构。

2.如权利要求1所述的超疏水凹角T状微柱结构制备方法，其特征在于，所述步骤(b)中采用的粘附层(3)材料为钛、钛化钨、钽或氮化钽中的一种，所述种子层(4)材料为铜、镍或金的一种，且所述粘附层(3)和所述种子层(4)采用物理气相淀积形成，所述粘附层(3)的厚度为10～200nm，所述种子层(4)的厚度为50～500nm。

3.如权利要求1-2中任意一项所述的超疏水凹角T状微柱结构制备方法，其特征在于，所述步骤(d)中的填充材料选自铜、金、银中的任意一种或其混合物，并且其填充方法选用电镀法。

4.如权利要求3所述的超疏水凹角T状微柱结构制备方法，其特征在于，所述步骤(d)中电镀填充法的电镀液含加速剂、抑制剂和整平剂，并且加速所述T状圆孔阵列的底部填充速率，抑制其开口的填充速率。

5.如权利要求4所述的超疏水凹角T状微柱结构制备方法，其特征在于，所述步骤(g)中的去除所述T状微柱结构(6)的横状伸出部分选择湿法腐蚀方式，并且依次腐蚀所述粘附层(3)、种子层(4)及T状微柱结构的横状伸出部分。

6.如权利要求5所述的超疏水凹角T状微柱结构制备方法，其特征在于，所述步骤(f)中的保护层(7)的材料为硅的氧化物或金属中的一种，其厚度为0.2～2μm，并且选用物理气相淀积形成。

7.如权利要求6所述的超疏水凹角T状微柱结构制备方法，其特征在于，所述步骤(g)中得到凹角T状微柱结构后可在微柱结构表面沉积一层保护层。

8.如权利要求7所述的超疏水凹角T状微柱结构制备方法，其特征在于，保护层材料为锌、锌镍合金、铬、金或铂中的一种，其厚度为1～5μm，沉积方法为电镀法。

9.如权利要求8所述的超疏水凹角T状微柱结构制备方法，其特征在于，所述第一圆孔阵列的圆孔直径为10～50μm，所述第二圆孔阵列直径为20～200μm，阵列之间的中心距为30～300μm。

10.如权利要求9所述的超疏水凹角T状微柱结构制备方法，其特征在于，所述第一层光刻胶(2)的厚度为20～200μm，所述第二层光刻胶(5)的厚度为1.5～10μm。