[发明专利]制作阵列基板的方法和阵列基板

权利要求书

1.一种制作阵列基板的方法，所述阵列基板包括：设置在薄膜晶体管层上的钝化层、设置在所述钝化层上的平坦层、以及设置在所述平坦层上的用于发光器件的第一电极，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

利用单个掩模板通过一次构图工艺在平坦层中形成用于设置所述第一电极的像素界定层、用于第一电极的过孔、以及隔垫物；

其中所述一次构图工艺包括：

在所述平坦层上涂覆光刻胶；

利用掩模板对所述光刻胶进行曝光和显影；

采用刻蚀工艺，在平坦层的不同区域去除具有不同厚度的部分平坦层和光刻胶，以在平坦层上形成过孔、隔垫物和像素界定层；以及

将未去除的光刻胶剥离。

2.如权利要求1所述的制作阵列基板的方法，其特征在于，在利用掩模板对所述光刻胶进行曝光和显影的步骤中，穿过所述掩模板的曝光光束的强度不同，使得在执行曝光和显影工艺之后，形成光刻胶完全保留部分、光刻胶第一半保留部分、以及光刻胶完全去除部分，

其中，所述光刻胶完全保留部分与所述隔垫物相对应，所述光刻胶完全去除部分与所述过孔相对应，所述光刻胶第一半保留部分与所述像素界定层相对应。

3.如权利要求2所述的制作阵列基板的方法，其特征在于，所述光刻胶为正性光刻胶，所述掩模板包括分别与所述过孔、像素界定层和隔垫物相对应的第一区域、第二区域和第三区域，

其中，所述曝光光束在所述第一区域的透过率大于在第二区域的透过率，在第二区域的透过率大于在第三区域的透过率。

4.如权利要求3所述的制作阵列基板的方法，其特征在于，所述曝光光束在所述第一区域的透过率为100％，在第二区域的透过率为65％-75％，在第三区域的透过率为零。

5.如权利要求4所述的制作阵列基板的方法，其特征在于，所述第一区域为穿过所述掩模板厚度的通孔，所述第二区域的厚度小于第三区域的厚度。

6.如权利要求3或4所述的制作阵列基板的方法，其特征在于，所述掩模板还包括与用做平坦层的表面相对应的第四区域，所述曝光光束在所述第四区域的透过率大于第三区域的透过率并小于第二区域的透过率。

7.如权利要求6所述的制作阵列基板的方法，其特征在于，所述曝光光束在所述第四区域的透过率为25％-35％。

8.如权利要求6所述的制作阵列基板的方法，其特征在于，在所述过孔和像素界定层采用物理气相沉积工艺形成电连接至所述薄膜晶体管层的漏极的第一电极，其中所述像素界定层所在的区域相对于平坦层的表面形成有凹陷部。

9.如权利要求2所述的制作阵列基板的方法，其特征在于，所述光刻胶为负性光刻胶，所述掩模板包括分别与所述过孔、像素界定层和隔垫物相对应的第五区域、第六区域和第七区域，

其中，所述曝光光束在所述第五区域的透过率小于在第六区域的透过率，在第六区域的透过率小于在第七区域的透过率。

10.如权利要求9所述的制作阵列基板的方法，其特征在于，所述曝光光束在所述第五区域的透过率为零，在第六区域的透过率为25％-35％，在第七区域的透过率为100％。

11.如权利要求10所述的制作阵列基板的方法，其特征在于，所述第五区域的厚度大于第六区域的厚度，所述第七区域为穿过所述掩模板厚度的通孔。

12.如权利要求9或10所述的制作阵列基板的方法，其特征在于，所述掩模板还包括与用做平坦层的表面相对应的第八区域，所述曝光光束在所述第八区域的透过率小于第七区域的透过率并大于第六区域的透过率。

13.如权利要求12所述的制作阵列基板的方法，其特征在于，所述曝光光束在所述第八区域的透过率为65％-75％。

14.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板由权利要求1-13所述的方法制成。