[发明专利]一种快速制备细晶钨钛合金的方法有效
申请号: | 201510017138.7 | 申请日: | 2015-01-13 |
公开(公告)号: | CN104561626B | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 梁淑华;罗亚涛;代卫丽;邹军涛;杨晓红;杨卿 | 申请(专利权)人: | 西安理工大学 |
主分类号: | C22C1/04 | 分类号: | C22C1/04;C22C27/04 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所61214 | 代理人: | 李娜 |
地址: | 710048*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 快速 制备 细晶钨 钛合金 方法 | ||
技术领域
本发明属于合金制备技术领域,具体涉及一种快速制备细晶钨钛合金的方法。
背景技术
WTi合金作为铜布线扩散阻挡层的溅射靶材,在组织和性能方面有诸多要求,大量实验结果表明WTi合金组织的晶粒尺寸和富钛相含量是影响阻挡层性能的主要因素。已有研究表明:溅射靶材晶粒尺寸越小,富钛相含量越少,制备的WTi薄膜性能也越好。靶材的晶粒越细小、均匀,富态相含量越少,溅射速率越快,溅射淀积薄膜的厚度均匀性越好,污染粒子数目越少。因此控制WTi合金靶材的晶粒尺寸和相组成是获得优良薄膜的关键因素。
制备方法及工艺参数是影响WTi合金的靶材组织性能的关键因素。目前为了获得组织性能良好的WTi合金靶材,通常采用热压烧结、热等静压等烧结方法。热压法制备出组织性能优异的WTi合金,但保温时间通常在30min以上,较长的烧结时间使得晶粒易于长大;热等静压烧结除了需要长时间的保温,且其所用设备昂贵,对设备及操作人员要求较高。这些都限制了WTi合金晶粒的细化及该合金的产品化。
发明内容
本发明的目的是提供一种快速制备细晶钨钛合金的方法,解决了现有烧结方法所需烧结时间过长,使晶粒容易长大的问题。
本发明所采用的技术方案是,一种快速制备细晶钨钛合金的方法,将钨粉进行高能球磨后加入钛粉混合均匀,然后将混合粉末进行放电等离子烧结(SPS),得到钨钛合金。
本发明的特点还在于,
钨粉的高能球磨是将粒径为6~8μm的钨粉放入行星式高能球磨机罐中,并加入5%的酒精作为分散剂,按球料比15:1加入WC磨球,然后对球磨罐预抽真空后充入氮气,球磨机转速为400r/min,球磨时间为6~15h。
放电等离子烧结是在放电等离子烧结炉中进行,将混合粉末放电等离子烧结炉中,抽真空到6Pa时开始加热,以100℃/s的升温速度升温到1300~1500℃保温3~10min,随炉冷却即得。
本发明的有益效果是,
1.本发明快速制备细晶钨钛合金的方法,通过对钨粉进行高能球磨,增加W中的缺陷和细化其晶粒,增加了钛向钨中的快速扩散通道,促进了钛向钨中的扩散,减小了生成富钛相的动力学条件,同时W粉球磨后有利于合金的烧结。
2.为了防止长时间保温后晶粒长大,通过SPS烧结制备WTi合金。SPS烧结的特点在于烧结过程中粉末间有脉冲电流存在,脉冲电流击穿粉末间隙中的空气而产生等离子体,等离子体的高速运动伴随着极高的温度,极大地促进了原子的互扩散进程,短时间内即可完成烧结,避免晶粒长大。此外,SPS烧结时高频电流产生的高速电子流可以击穿粉末颗粒表面的氧化层,使杂质元素逸出,降低了合金中的杂质元素的同时促进了原子的扩散。
3.本发明快速制备细晶钨钛合金的方法得到的钨钛合金不仅晶粒细小、致密度高、组织均匀且富钛相少,从而获得具有良好阻挡效果的薄膜。
附图说明
图1是传统制备方法和本发明方法制备得到的钨钛合金的组织形貌图。
图中,a.传统制备方法,b.本发明方法,A.富钛相,B.富钨相。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明进行详细说明。
本发明快速制备细晶钨钛合金的方法,将钨粉进行高能球磨后加入钛粉混合均匀,然后将混合粉末进行放电等离子烧结(SPS),得到钨钛合金。
具体按照以下步骤实施:
步骤1,将粒径为6~8μm的钨粉放入行星式高能球磨机罐中,并加入5%的酒精作为分散剂,按球料比15:1加入WC磨球,然后对球磨罐预抽真空后充入氮气,球磨机转速为400r/min,球磨时间为6~15h;
步骤2,将球磨后的钨粉和Ti粉在V型混料机上混合均匀;
步骤3,将混合好的粉末放入放电等离子烧结炉内,抽真空到6Pa时开始加热,以100℃/s的升温速度升温到1300~1500℃保温3~10min,随炉冷却,即可短时间内得到细晶的钨钛合金。
本发明快速制备细晶钨钛合金的方法,将W粉进行高能球磨,增加W中缺陷和细化其晶粒,促进钛向钨中的扩散,减少合金中的富钛相且防止了长时间保温后晶粒的长大。与常规过程相比,本发明极大地缩短了合金的制备周期,细化了晶粒并减少合金组织中的富钛相。
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