[发明专利]半导体器件的制造方法及半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括如下工序：

工序(a)，在半导体衬底的表面的上方形成氮化硅膜；

工序(b)，在所述氮化硅膜的上方形成第1布线；

工序(c)，经由第1绝缘膜在所述第1布线之上形成含有铝的第2布线；

工序(d)，在所述第2布线之上形成第2绝缘膜；

工序(e)，通过除去所述第2布线之上的所述第2绝缘膜，形成使所述第2布线的一部分露出的开口部；以及

工序(f)，在所述工序(e)之后，在露出的所述第2布线的表面上形成氮化铝；

其中，在所述工序(a)中，在所述半导体衬底的背面也形成所述氮化硅膜。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述工序(a)是在保持所述半导体衬底的外周且所述半导体衬底的背面的至少一部分露出的状态下，通过化学气相沉积法对所述氮化硅膜进行成膜的工序。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述工序(a)在同一处理装置内，分别在多个所述半导体衬底的每一个上形成所述氮化硅膜。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述工序(f)为氮化合物的等离子处理。

5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述氮化合物为氨(NH3)。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

还具有工序(g)，所述工序(g)在所述工序(f)之后，在具有所述氮化铝之上的所述第2布线的露出表面上形成导电性部件，并实现所述第2布线与所述导电性部件的电连接。

7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在所述工序(f)之后，且在所述工序(g)之前，还具有将所述半导体器件保存在收纳容器内的工序。

8.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述导电性部件为键合线或凸块电极。

9.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

还具有实验工序(h)，所述实验工序(h)在所述工序(f)和所述工序(g)之间，对具有所述氮化铝之上的所述第2布线的露出表面施加电信号。

10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述工序(c)为通过对含有铝的导电性膜进行蚀刻，以形成所述第2布线的工序，

所述半导体器件的制造方法还具有工序(i)，所述工序(i)在所述工序(c)和所述工序(d)之间，在第2布线的侧壁形成氧化铝。

11.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述工序(a)为在MISFET的栅极电极的两侧形成具有所述氮化硅膜的侧壁绝缘膜的工序。

12.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述工序(a)是通过所述氮化硅膜和位于所述氮化硅膜的上部的氧化硅膜的积层膜覆盖MISFET的上部的工序。

13.一种半导体器件，其特征在于，

具有：

在半导体衬底的表面侧的上方形成的氮化硅膜；

在所述氮化硅膜的上方形成的第1布线；

经由第1绝缘膜在所述第1布线之上形成的含有铝的第2布线；

在所述第2布线之上具有开口部的第2绝缘膜；以及

在所述开口部的底面形成在所述第2布线之上的氮化铝。

14.如权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，

在所述开口部的底面的所述第2布线之上形成有键合线或凸块电极。

15.如权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，

在所述开口部的底面的所述第2布线之上具有针痕。

16.如权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，

在所述第2布线的侧壁上具有氧化铝。

17.如权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，

在所述开口部的底面的所述第2布线之上具有所述氮化铝及氧化铝。