[发明专利]薄膜晶体管、其制造方法和具有薄膜晶体管的平板显示器

说明书

本发明公开一种薄膜晶体管、其制造方法和具有薄膜晶体管的平板显示器。在一个方面中，该TFT包括基板和形成在基板上的有源层，其中，有源层由氧化物半导体形成，并且其中，有源层包括两个相对侧。TFT还包括形成在有源层的相对侧处的源极区和漏极区、形成在有源层上的第一绝缘层、形成在有源层上的栅电极、形成为覆盖第一绝缘层和栅电极的第二绝缘层、以及形成在源极区和漏极区上并且接触第二绝缘层的第一导电层。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2014年1月20日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2014-0006534号的优先权和权益，其全部内容通过引用结合于此。

技术领域

所描述的技术总体上涉及薄膜晶体管(TFT)、制造TFT的方法、以及具有TFT的平板显示装置。

背景技术

薄膜晶体管(TFT)被用于包括平板显示器(FPD)等的各种电子装置中。例如，TFT可被用作包括液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器、电泳显示器等的平板显示装置中的开关元件或驱动元件。

TFT包括耦接至用于提供扫描信号的栅极线的栅电极、耦接至用于提供信号以应用于像素电极的数据线的源电极、与源电极相对的漏电极、以及电耦接至源电极和漏电极的半导体层。

发明内容

一个发明方面是可以改善TFT的特性的薄膜晶体管(TFT)、制造该TFT的方法、以及具有该TFT的平板显示装置。

另一方面是一种TFT，包括：基板；氧化物半导体，位于基板上；源电极和漏电极，耦接至氧化物半导体，源电极和漏电极在氧化物半导体的两侧处关于氧化物半导体彼此相对；第一绝缘层，位于氧化物半导体上；栅电极，位于第一绝缘层上，栅电极与氧化物半导体重叠；第二绝缘层，位于栅电极上；第一导电层，耦接至第二绝缘层，第一导电层分别放置在源电极和漏电极上；以及第二导电层，位于第一导电层上，第二导电层包括暴露第二绝缘层的开口。

氧化物半导体可包括氧化铟镓锌(IGZO)。

第一导电层可包括铝(Al)。

第二绝缘层可包括铝氧化物(AlOx)层。

另一方面是一种制造TFT的方法，该方法包括：提供基板；在基板上形成包括氧化物半导体材料的半导体图案；形成与半导体图案的中间部分重叠的第一绝缘层和栅电极；通过在不与第一绝缘层重叠的半导体图案上进行还原处理形成在栅电极之下形成的有源层并且源电极和漏电极关于有源层彼此相对；在源电极和漏电极上形成第一导电层；形成在第一导电层上形成的第二导电层以暴露与栅电极重叠的第一导电层的部分；以及形成暴露的第一导电层作为包括绝缘材料的第二绝缘层。

第一绝缘层和栅电极的形成可包括：在半导体图案上形成包括绝缘材料的绝缘材料层；在绝缘材料层上形成栅电极；通过使用栅电极作为蚀刻掩模将绝缘材料层图案化，并且暴露半导体图案的一部分形成第一绝缘层；并且将离子掺杂到暴露的半导体图案中以具有导电性。

第二绝缘层的形成可包括：在其上形成有第一导电层的基板上形成包括导电材料的导电层；通过将导电层图案化形成暴露与栅电极重叠的第一导电层的那部分的第二导电层；在第二导电层上形成光敏层图案；以及在其上形成光敏层图案的基板上进行等离子处理使得暴露的第一导电层包括绝缘材料。

第二绝缘层的形成可包括：在其上形成第一导电层的基板上形成包括导电材料的导电层；通过将导电层图案化形成暴露与栅电极重叠的第一导电层的那部分的第二导电层；在第二导电层上形成光敏层图案；以及在其上形成光敏层图案的基板上进行退火处理使得暴露的第一导电层包括绝缘材料。

氧化物半导体材料可包括氧化铟镓锌(IGZO)。

第一导电层可包括Al。

第二绝缘层可包括铝氧化物(AlOx)层。