[发明专利]小尺寸KDP晶体表面磁-射流清洗装置及清洗工艺

权利要求书

1.一种小尺寸KDP晶体表面磁-射流清洗工艺，包括如下步骤：

(1)将KDP晶体安装在数控机床的主轴上，并且将清洗装置固定在数控机床的工作台上；

(2)调整清洗装置与KDP晶体表面之间的间隙；

(3)通过对清洗剂进行加压，使清洗剂注入清洗装置中，通过调节压力控制装置来调节清洗剂的压力；

(4)启动数控机床，使清洗装置和KDP晶体之间相对旋转，并且通过调节数控机床来调节清洗装置和KDP晶体之间的相对转速；

(5)利用数控机床使清洗装置和KDP晶体表面之间作相对平面运动，并且通过调节数控机床来调节清洗装置和KDP晶体之间的相对平面运动速率。

2.根据权利要求1所述的清洗工艺，其特征在于：所述清洗剂为低分子有机溶剂，所述低分子有机溶剂为乙醇、异丙醇、丙酮和乙醚中的一种或者是几种的混合溶液。

3.根据权利要求1所述的清洗工艺，其特征在于：所述清洗装置的清洗轮与KDP晶体表面之间的间隙调整范围为：0.02-0.5mm，所述清洗装置和KDP晶体之间的相对转速范围为：0-200rpm，所述清洗装置和KDP晶体之间的相对平面运动速率的调整范围为：0-500m/min。

4.根据权利要求1所述的清洗工艺，其特征在于：所述步骤4中，所述清洗装置静止，所述KDP晶体在数控机床主轴的带动下相对于清洗装置旋转。

5.根据权利要求1所述的清洗工艺，其特征在于：所述步骤5中，所述清洗装置在数控机床的带动下相对于所述KDP晶体作平面运动。

6.根据权利要求1所述的清洗工艺中所用到的清洗装置，其特征在于：包括固定装置和清洗轮，所述固定装置为中空的柱体，中空的部分为第一清洗液通道；所述清洗轮由强力磁铁制成，包括第一横截面和第二横截面，所述清洗轮通过第一横截面的中部固定在所述固定装置一端的横截面上，所述清洗轮的中部也设有与所述固定装置上的第一清洗液通道共轴相通的第二清洗液通道；所述清洗轮的第二横截面设有与所述第二清洗液通道相通的导流槽，所述导流槽与所述第二清洗液通道之间的连接为弧形连接，所述导流槽以所述清洗轮的第二横截面的圆心为一端点，在所述清洗轮的第二横截面呈发散状分布。

7.根据权利要求6所述的清洗装置，其特征在于：所述固定装置和所述清洗轮一体成型。

8.根据权利要求6所述的清洗装置，其特征在于：所述导流槽至少为2条。

9.根据权利要求6所述的清洗装置，其特征在于：所述导流槽为沿清洗轮第二横截面径向的直线。

10.根据权利要求6所述的清洗装置，其特征在于：所述导流槽为曲线状。