[发明专利]一种金刚石肖特基二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种金刚石肖特基二极管，其特征在于，包括依次层叠设置的欧姆电极(1)、P型高掺杂金刚石衬底(2)、漂移层(3)和肖特基电极(4)，所述肖特基电极(4)为单一铪层结构、或底层为单一铪层的多个单一金属层的复合层结构。

2.如权利要求1所述的一种金刚石肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基电极(4)中，其它金属层为由钛、镍、铂或金形成的单一金属层；或者其它金属层为由钛、镍、铂和金中的一种或多种形成的多个单一金属层复合形成。

3.如权利要求1或2所述的一种金刚石肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基电极(4)设置为场板结构，且场板结构中介质层为一种或多种材料。

4.如权利要求1或2所述的一种金刚石肖特基二极管，其特征在于，所述欧姆电极(1)为单一金属层或复合层，其中，所述单一金属层由钯、钛、金、镍和铂中的一种沉积形成，所述复合层为由钯、钛、金、镍和铂中一种或多种形成的多个单一金属层复合形成。

5.如权利要求1或2所述的一种金刚石肖特基二极管，其特征在于，所述P型高掺杂金刚石衬底(2)中硼原子的含量为N_A>10¹⁹cm^-3。

6.如权利要求1或2所述的一种金刚石肖特基二极管，其特征在于，所述漂移层(3)为P型低掺杂金刚石层或本征金刚石层，其中P型低掺杂金刚石层中硼原子的含量为N_A<10¹⁷cm^-3。

7.如权利要求1或2所述的一种金刚石肖特基二极管，其特征在于，所述金刚石肖特基二极管经过退火处理。

8.如权利要求1至7任一所述的金刚石肖特基二极管的制作方法，其特征在于，该方法包括以下：

首先，在P型高掺杂金刚石衬底(2)上外延生长一层P型低掺杂金刚石层或本征金刚石层作为漂移层(3)；

然后，在漂移层(3)上表面沉积形成肖特基电极(4)，所述肖特基电极(4)为单一铪层结构、或包括底层为单一铪层的多个单一金属层的复合层结构；在P型高掺杂金刚石衬底(2)下表面沉积金属，形成欧姆电极(1)。

9.如权利要求8所述的一种金刚石肖特基二极管的制作方法，其特征在于，该方法还包括沉积形成肖特基电极(4)和欧姆电极(1)后的退火处理。