[发明专利]包括传感器的有机发光二极管显示器有效
申请号: | 201510024086.6 | 申请日: | 2015-01-16 |
公开(公告)号: | CN105304673B | 公开(公告)日: | 2020-10-20 |
发明(设计)人: | 王盛民;赵炳勳 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L31/113 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 传感器 有机 发光二极管 显示器 | ||
1.一种有机发光二极管显示器,包括:
像素,其包括发光装置和连接至所述发光装置的第一薄膜晶体管;以及
传感器,其包括光敏元件,
其中:
所述光敏元件包括:
栅电极;
有源层,位于所述栅电极上;
过滤层,位于所述有源层上;以及
源电极和漏电极,位于所述有源层上,所述源电极和所述漏电极连接至所述有源层,
所述光敏元件和所述第一薄膜晶体管形成在同一基底上,以及
所述光敏元件的所述栅电极和所述有源层之一与所述第一薄膜晶体管的栅电极排列在同一层上,且所述光敏元件的所述有源层与所述第一薄膜晶体管的多晶半导体层排列在不同层上。
2.根据权利要求1中所述的有机发光二极管显示器,其中:
所述第一薄膜晶体管包括:
所述多晶半导体层,位于所述基底上;
所述栅电极,位于所述多晶半导体层上;以及
源电极和漏电极,位于所述栅电极上,并连接至所述多晶半导体层,以及
所述发光装置包括:
像素电极,覆盖所述第一薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极并连接至所述第一薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极中之一;
有机发光层,位于所述像素电极上;以及
公用电极,位于所述有机发光层上。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器,其中所述光敏元件的所述源电极和所述漏电极:
与所述发光装置的所述像素电极排列在同一层上,并且
由与所述像素电极相同的材料形成。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器,其中所述过滤层与所述光敏元件的所述源电极和所述漏电极排列在同一层上。
5.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器,其中所述光敏元件的所述栅电极:
与所述第一薄膜晶体管的所述栅电极排列在同一层上,并且
由与所述第一薄膜晶体管的所述栅电极相同的材料形成。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器,其中所述光敏元件的所述有源层与所述第一薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极排列在同一层上。
7.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器,其中所述光敏元件的所述栅电极:
与所述多晶半导体层排列在同一层上,并且
由掺杂的多晶半导体形成。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器,其中所述光敏元件的所述有源层与所述第一薄膜晶体管的所述栅电极排列在同一层上。
9.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器,其中所述发光装置还包括位于所述像素电极和所述有机发光层之间的红外发射层。
10.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器,其中:
所述传感器还包括第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管包括源电极和漏电极,以及
所述第二薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极中之一连接至所述光敏元件的所述源电极和所述漏电极中之一。
11.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器,其中:
所述传感器还包括电容器,所述电容器包括第一电极和第二电极,
所述电容器的所述第一电极与所述第一薄膜晶体管的所述多晶半导体层排列在同一层上并且由掺杂半导体形成,以及
所述电容器的所述第二电极与所述第一薄膜晶体管的所述栅电极排列在同一层上并且由与所述第一薄膜晶体管的所述栅电极相同的材料形成。
12.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中所述过滤层包括带通滤波器,所述带通滤波器包含聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚碳酸酯和聚酰亚胺中之一。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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