[发明专利]一种硫系相变无机光刻胶的两步显影法

权利要求书

1.一种硫系相变无机光刻胶的正胶型显影方法，包括两步交替显影，将基底上的选择性曝光的Ge₂Sb_2(1-x)Bi_2xTe₅光刻胶薄膜先在氧化性溶液中显影，再在酸性溶液中显影，反复进行，曝光区域被去除，而未曝光区域被保留，最终在光刻胶上获得所需图案结构；其中0<x<1；

所述酸性溶液中氢离子的摩尔浓度r₂为0<r₂≤3.5mol/L；

所述酸性溶液为硝酸、盐酸、硫酸、醋酸、磷酸或氢氟酸中的1种或2种以上的混合；

所述氧化性溶液为双氧水溶液、氯水或高锰酸钾溶液中的1种或2种以上的混合。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述双氧水溶液中H₂O₂的质量浓度r₁为0<r₁<4.5％。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述双氧水溶液中H₂O₂的质量浓度r₁为0.5％≤r₁≤2.5％。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述酸性溶液为硝酸。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，硝酸溶液中HNO₃的质量浓度r₃为0<r₃≤20％。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述显影的温度为室温至40℃。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述显影的温度为25-35℃。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述显影的温度为25℃。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在双氧水溶液中显影的时间为2-10分钟。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在硝酸溶液中显影的时间为20秒-2分钟。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述曝光使用激光直写技术选择性进行。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述曝光的时间为20ns-1000ns。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述激光的波长为200nm-800nm。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述激光的波长为405nm。

15.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所用激光的能量密度为300-4500mJ/cm²。

16.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，Ge₂Sb_2(1-x)Bi_2xTe₅光刻胶薄膜是采用Ge₂Sb_2(1-x)Bi_2xTe₅靶材，利用磁控溅射技术在单晶硅基底上沉积制备的。

17.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜的厚度为50nm-500nm。