[发明专利]像素电极、显示装置及像素电极的制造方法在审

专利信息
申请号: 201510024835.5 申请日: 2015-01-19
公开(公告)号: CN104820318A 公开(公告)日: 2015-08-05
发明(设计)人: 宫田崇 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 像素 电极 显示装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种像素电极,其特征在于,所述像素电极为在具有显示层的显示装置中使用的像素电极,其中,所述显示层配置于一对基板间,

所述像素电极包括:第一面与所述显示层接触的第一层;以及与所述第一层的与所述第一面相对的第二面接触的第二层,

所述第一层的电极电位比所述第二层的电极电位低。

2.根据权利要求1所述的像素电极,其特征在于,所述第二层的端部未被所述第一层覆盖。

3.根据权利要求1或2所述的像素电极,其特征在于,形成有贯通所述第一层和所述第二层的孔。

4.根据权利要求1或2所述的像素电极,其特征在于,所述第一层的厚度比所述第二层的厚度厚。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的像素电极,其特征在于,所述第一层由Al或者Al合金形成。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的像素电极,其特征在于,所述第二层由Ti或者Ti合金形成。

7.一种显示装置,其特征在于,具有权利要求1至6中任一项所述的像素电极。

8.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,具有安装端子,所述安装端子由所述第一层和所述第二层组成。

9.一种像素电极的制造方法,其特征在于,包括:

在绝缘层上形成第二导电体层的工序;

在所述第二导电体层上形成第一导电体层的工序,其中,所述第一导电体层具有电极电位低于所述第二导电体层的形成材料的电极电位的材料;以及

将所述第一导电体层和所述第二导电体层一起图案化而形成岛状的电极的工序。

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