[发明专利]过孔和显示基板的制作方法

说明书

本发明涉及半导体器件制造技术领域，公开了一种过孔和显示基板的制作方法。薄膜的过孔制作方法中，分两次形成光刻胶。在先形成的第一光刻胶层中形成位于过孔制作区上的开口。在第一光刻胶层中形成开口后，形成第二光刻胶层，至少去除第二光刻胶层的位于所述开口所在区域的部分，暴露过孔制作区，通过所述开口刻蚀所述薄膜，形成过孔。由于第一光刻胶层厚度较薄，界定的过孔孔径较小。通过设置第二光刻胶层的感光度大于第一光刻胶层的感光度，可以保证在薄膜中形成过孔的孔径尺寸精度，提高了过孔质量。同时，光刻胶可以保护非过孔制作区的薄膜不被刻蚀，保证了产品的良率和性能。

技术领域

本发明涉及半导体器件制造技术领域，特别是涉及一种薄膜中的过孔制作方法，以及包括该薄膜的显示基板制作方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)是一种重要的平板显示设备。在TFT-LCD面板的阵列基板制备工艺中，不同导电层通常通过绝缘层中的过孔接触设置，来实现电性连接，例如：共面型薄膜晶体管阵列基板，其包括依次形成在阵列基板上的有源层图案1、栅绝缘层20、栅电极2、钝化层30、源电极和漏电极(图中未示出)，源电极和漏电极通过贯穿栅绝缘层20和钝化层30的过孔与有源层图案1电性接触。因此，过孔工艺的优劣直接影响到产品的良率以及显示面板的相关性能。

图1至图4是现有技术中制作贯穿栅绝缘层20和钝化层30的过孔的方法，主要流程是：在钝化层30上形成光刻胶40→采用掩膜板对光刻胶40进行曝光和显影处理，形成开口3→通过开口3对钝化层30和栅绝缘层20进行刻蚀处理，形成过孔4＇，露出有源层图案1→剥离剩余的光刻胶40，工艺参考数值为：光刻胶40的膜厚为2μm，过孔4＇的孔径为4.5μm。

用上述方法在薄膜中形成过孔，会发生两种不良：

一、如果光刻胶太厚，会曝不透，增加曝光量又导致过曝，过孔的孔径尺寸过大；

二、如果光刻胶太薄，虽然过孔的孔径尺寸合适，但是无法保证被光刻胶覆盖的薄膜部分不被刻蚀。

发明内容

本发明提供一种过孔的制作方法，用以解决现有制作工艺中，光刻胶无法既保证过孔的孔径尺寸合适，又起到刻蚀保护的作用。

本发明还提供一种显示基板的制作方法，采用上述方法在显示基板上的薄膜中形成过孔，以保证产品的性能。

为解决上述技术问题，本发明实施例中提供一种薄膜中的过孔制作方法，所述薄膜设置在一基板上，所述制作方法包括：

在所述薄膜上形成第一光刻胶层，所述薄膜包括过孔制作区；

对所述第一光刻胶层进行曝光和显影处理，形成位于过孔制作区上的第一开口；

形成覆盖所述第一光刻胶层的第二光刻胶层，所述第二光刻胶层的感光度大于所述第一光刻胶层的感光度；

对所述第二光刻胶层进行曝光和显影处理，至少去除所述第二光刻胶层的位于第一开口所在区域的部分，暴露所述过孔制作区，由保留的第一光刻胶层和保留的第二光刻胶层形成所述薄膜的刻蚀保护层；

以保留的第一光刻胶层为阻挡，刻蚀所述过孔制作区的薄膜，形成过孔；

剥离剩余的第一光刻胶层和第二光刻胶层。

如上所述的制作方法，优选的是，所述第一光刻胶层的厚度小于或等于所述第二光刻胶层的厚度。

如上所述的制作方法，优选的是，所述第一光刻胶层的曝光量和所述第二光刻胶层的曝光量相同。

如上所述的制作方法，优选的是，采用同一掩膜板对所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层进行曝光。