[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

(a)在半导体衬底的主表面中，形成沟槽部分；

(b)通过利用含有臭氧气体和四乙氧基甲硅烷气体的第一气体的化学气相沉积，在所述沟槽部分之中并且在所述半导体衬底的所述主表面之上形成具有氧化硅膜的第一绝缘膜；

(c)通过等离子体化学气相沉积，在所述第一绝缘膜之上形成具有氧化硅膜的第二绝缘膜；以及

(d)通过利用含有臭氧气体和四乙氧基甲硅烷气体的第二气体的化学气相沉积，在所述第二绝缘膜之上形成具有氧化硅膜的第三绝缘膜，

其中在所述步骤(b)中，所述第一绝缘膜用以覆盖所述沟槽部分的第一侧表面，

其中在所述步骤(c)中，所述第二绝缘膜用以经由所述第一绝缘膜而覆盖所述沟槽部分的所述第一侧表面，以及

其中在所述步骤(d)中，所述第三绝缘膜用以闭合所述沟槽部分，同时在所述沟槽部分中留出空间。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，进一步包括以下步骤：

(e)通过等离子体化学气相沉积，在所述第三绝缘膜之上形成具有氧化硅膜的第四绝缘膜。

3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，进一步包括以下步骤：

(f)在所述半导体衬底的所述主表面之上形成第五绝缘膜；以及

(g)形成穿透所述第五绝缘膜并且到达所述半导体衬底的开口部分，

其中在所述步骤(a)中，待与所述开口部分相连通的所述沟槽部分通过蚀刻从所述开口部分暴露出的所述半导体衬底来形成，

其中在所述步骤(b)中，所述第一绝缘膜用以覆盖所述开口部分的第二侧表面，

其中在所述步骤(c)中，所述第二绝缘膜用以经由所述第一绝缘膜而覆盖所述开口部分的所述第二侧表面，以及

其中制造所述半导体器件的所述方法进一步包括以下步骤：

(h)在所述步骤(a)之后，但是在所述步骤(b)之前，使得所述开口部分的所述第二侧表面相对于所述沟槽部分的所述第一侧表面后退。

4.根据权利要求3所述的制造半导体器件的方法，进一步包括以下步骤：

(i)在所述第五绝缘膜之上，形成具有氮化硅膜的第六绝缘膜，

其中在所述步骤(f)中，所述第五绝缘膜具有氧化硅膜，以及

其中在所述步骤(g)中，形成穿过所述第六绝缘膜和所述第五绝缘膜并且到达所述半导体衬底的所述开口部分。

5.根据权利要求4所述的制造半导体器件的方法，进一步包括以下步骤：

(j)在所述第六绝缘膜之上，形成具有氧化硅膜的第七绝缘膜，

其中在所述步骤(g)中，形成穿过所述第七绝缘膜、所述第六绝缘膜和所述第五绝缘膜并且到达所述半导体衬底的所述开口部分，以及

其中所述步骤(h)包括以下步骤：

(h1)蚀刻所述第六绝缘膜的从所述开口部分的所述第二侧表面暴露出的部分，以使得所述第六绝缘膜相对于所述沟槽部分的所述第一侧表面后退；以及

(h2)在所述步骤(h1)后，通过蚀刻将所述第七绝缘膜去除，并且蚀刻所述第五绝缘膜的从所述开口部分的所述第二侧表面暴露出的部分，以便使得所述第五绝缘膜相对于所述沟槽部分的所述第一侧表面后退。

6.根据权利要求4所述的制造半导体器件的方法，进一步包括以下步骤：

(k)在所述第六绝缘膜之上，形成具有氧化硅膜的第八绝缘膜，

其中在所述步骤(g)中，所述开口部分穿过所述第八绝缘膜、所述第六绝缘膜和所述第五绝缘膜并且到达所述半导体衬底，以及

其中所述步骤(h)包括以下步骤：

(h3)蚀刻所述第八绝缘膜，以使得所述绝缘膜相对于所述沟槽部分的所述第一侧表面后退，并且蚀刻所述第五绝缘膜的从所述开口部分的所述第二侧表面暴露出的部分，以使得所述第五绝缘膜相对于所述沟槽部分的所述第一侧表面后退；以及

(h4)在所述步骤(h3)后，蚀刻所述第六绝缘膜，以使得所述绝缘膜相对于所述沟槽部分的所述第一侧表面后退。