[发明专利]一种宽温环形激光二极管泵浦激光器及其设计方法

说明书

技术领域

本发明涉及激光放大器领域，具体而言涉及一种宽温环形激光二极管泵浦激光器及其设计方法。

背景技术

LD(激光二极管)泵浦固体激光器具有体积小，输出能量大，使用寿命长等优点。LD泵浦激光器的泵浦单元LD巴条，其发射泵浦光的中心波长和发射光功率，具有随工作环境温度变化而变化的特性：随着温度的增加，中心波长发生红移(变长)、发射光功率下降；反之，随着温度的降低，中心波长发生蓝移(变短)、发射光功率升高。所以，当LD泵浦激光器的工作环境温度变化时，激光器增益介质吸收的泵浦光能量会发生变化，导致激光器的输出能量变化，工作环境温度变化较大时，激光器甚至会无法实现能量输出。

在LD泵浦激光器的使用中，常常会遇到较为严苛的工作环境，-20℃至50℃就是野外使用常见的温度环境要求。为了实现在较宽温度环境中稳定运行的要求，需要对激光器进行宽温环境功能改进。一种常用的方法是在激光器上加装主动温度控制系统，如使用半导体制冷片对LD温度进行控温，使LD阵列中单巴条的输出波长和输出功率保持稳定，从而实现激光器的稳定输出。这种方法需要为主动温控系统提供额外的运行能源，同时主动温控系统会增加激光器系统复杂性、体积和重量，并降低激光器系统的运行可靠性和抗干扰性，不利于激光器的小型化、轻量化设计。

发明内容

针对上述现有技术中存在的问题，本发明提供一种宽温环形激光二极管泵浦激光器及其设计方法，利用本发明的巴条设计方法可精确计算出所需各发射波长的巴条数目，该装置适用于-20℃—50℃的宽温环境，有效泵浦功率稳定，组装简单，体积小，重量轻。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种宽温环形激光二极管泵浦激光器，包括冷却热沉、环形巴条阵列、增益介质、调Q晶体，所述增益介质和调Q晶体均为圆柱状，所述冷却热沉为中心设有圆孔的长方体，所述环形巴条阵列固定连接于冷却热沉圆孔的表面，所述环形巴条阵列包括至少2种发射波长的巴条，相邻巴条之间间隔相同，相邻的相同发射波长的巴条之间间隔巴条数之差≤1，调Q晶体键合在增益介质的一端。

进一步，所述增益介质的轴心与环形巴条阵列的轴心重合。

进一步，所述增益介质远离调Q晶体的一端镀有激光波长全反射膜。

进一步，所述增益介质与调Q晶体键合的一端镀有激光波长部分反射膜。

进一步，所述环形巴条阵列至少为1个。

另，本发明还提供一种宽温环形激光二极管泵浦激光器的巴条数目设计方法，宽温环形激光二极管泵浦激光器的结构包括冷却热沉、环形巴条阵列、棒状的增益介质、调Q晶体，所述增益介质和调Q晶体均为圆柱状，所述冷却热沉为中心设有圆孔的长方体，所述环形巴条阵列固定连接于冷却热沉圆孔的表面，所述环形巴条阵列包括至少2种发射波长的巴条，相邻巴条之间间隔相同，相邻的相同发射波长的巴条之间间隔巴条数之差≤1，调Q晶体键合在增益介质的一端，所述巴条数目设计方法包括如下步骤：

(1)通过测量得到作为增益介质的激光晶体的吸收谱曲线函数σ(λ)，其中，自变量λ为巴条的发射波长，选定巴条的发射波长范围为λ₁-a—λ_m+a，将波长范围离散化为λ₁±a、λ₂±a···λ_m±a，共m个数值段；

(2)确定需要的工作温度范围为-20℃至50℃，测量所述温度范围内，单巴条发射功率函数p(T)、巴条发射波长的温漂系数k，其中，自变量T为温度，将温度范围离散化为T₁±t、T₂±t···T_s±t，共s个数值段，且s＜m；

(3)当室温20℃时，巴条发射波长分布函数为n(λ)，其中，n为巴条数目；温度为T₁时，巴条的发射波长变为λ+k(T-20)，激光晶体吸收的泵浦光能量为

(4)确定激光晶体需要吸收的泵浦光能量为常数W，在步骤(1)所述的每一个波长数值段中选取中值λ_x，所述波长数值对应的激光晶体吸收值为σ(λ_x)，在步骤(2)所述的每一个温度数值段中选取中值T_z，所述温度数值T_z对应的单巴条发射功率为p(T_z)，将所述σ(λ_x)、p(T_z)和系数k代入步骤(3)的函数式中，得到如下方程组