[发明专利]一种 III 族半导体发光器件

权利要求书

1.一种III族半导体发光器件，其特征在于，该发光器件包括：自下而上依次设置的衬底、缓冲层、n型氮化物半导体层、有源层和p型氮化物半导体层，并构成凸台，其中，

所述凸台的上表面为p型氮化物半导体层的上表面；

所述凸台表面上还设有N型线电极，所述N型线电极下方的有源层为被蚀刻掉或所述N型线电极下方的有源层为被部分蚀刻掉，所述N型线电极还连接有N型焊盘，该N型焊盘位于所述有源层上方，所述N型线电极与所述N型焊盘组成N型电极；

所述发光器件还包括P型电极，包括：P型焊盘与P型线电极，该P型电极位于所述凸台上。

2.根据权利要求1所述的III族半导体发光器件，其特征在于，所述发光器件还设有绝缘层和透明导电层，所述透明导电层位于所述p型氮化物半导体层上表面或者位于所述p型氮化物半导体层及n型氮化物半导体层的表面，所述绝缘层位于所述透明导电层的表面及所述凸台的表面；

所述N型焊盘位于所述绝缘层表面之上；

所述N型线电极位于所述n型氮化物半导体层表面上。

3.根据权利要求1所述的III族半导体发光器件，其特征在于，所述发光器件还设有绝缘层和透明导电层，所述透明导电层位于所述p型氮化物半导体层上表面或者位于所述p型氮化物半导体层及n型氮化物半导体层的表面，所述绝缘层位于所述透明导电层的表面及所述凸台的表面；

所述N型焊盘位于所述绝缘层表面之上；

所述N型线电极位于所述透明导电层上。

4.根据权利要求1所述的III族半导体发光器件，其特征在于，所述发光器件还设有绝缘层和透明导电层，所述透明导电层位于所述p型氮化物半导体层上表面或者位于所述p型氮化物半导体层及n型氮化物半导体层的表面，所述绝缘层位于所述透明导电层的表面及所述凸台的表面；

所述N型焊盘位于所述绝缘层表面之上；

所述N型线电极位于所述n型氮化物半导体层及绝缘层之间。

5.根据权利要求1所述的III族半导体发光器件，其特征在于，所述发光器件还设有绝缘层和透明导电层，所述透明导电层位于所述p型氮化物半导体层上表面或者位于所述p型氮化物半导体层及n型氮化物半导体层的表面，所述绝缘层位于所述透明导电层的表面及所述凸台的表面；

所述N型焊盘位于所述绝缘层表面之上；

所述N型线电极位于所述透明导电层及绝缘层之间。

6.根据权利要求1所述的III族半导体发光器件，其特征在于，所述发光器件还设有绝缘层和透明导电层，所述透明导电层位于所述p型氮化物半导体层上表面或者位于所述p型氮化物半导体层及n型氮化物半导体层的表面，所述绝缘层位于所述透明导电层的表面及所述凸台的表面；

所述N型焊盘位于所述绝缘层表面之上；

所述N型线电极位于所述n型氮化物半导体层及透明导电层之间。

7.根据权利要求1所述的III族半导体发光器件，其特征在于，所述发光器件还设有绝缘层和透明导电层，所述透明导电层位于所述p型氮化物半导体层上表面或者位于所述p型氮化物半导体层及n型氮化物半导体层的表面，所述绝缘层位于所述透明导电层的表面及所述凸台的表面；

所述N型焊盘位于所述绝缘层表面之上；

所述N型线电极位于所述n型氮化物半导体层、透明导电层及绝缘层之间。

8.根据权利要求2至7中任一所述的III族半导体发光器件，其特征在于，所述发光器件还设有绝缘层和透明导电层，所述透明导电层位于所述p型氮化物半导体层上表面或者位于所述p型氮化物半导体层及n型氮化物半导体层的表面，所述绝缘层位于所述透明导电层的表面及所述凸台的表面；

所述N型焊盘位于所述绝缘层表面之上；

所述N型线电极位于所述绝缘层表面之上。

9.根据权利要求8所述的III族半导体发光器件，其特征在于，所述P型电极，进一步为，

所述P型焊盘位于所述绝缘层表面上；

所述P型线电极位于所述透明导电层表面之上、或位于所述透明导电层及绝缘层之间、或部分位于所述绝缘层表面之上、或位于所述p型氮化物半导体层表面之上、或位于所述p型氮化物半导体层及透明导电层之间、或位于所述p型氮化物半导体层及绝缘层之间、或位于所述p型氮化物半导体层、绝缘层及透明导电层之间。

10.根据权利要求8所述的III族半导体发光器件，其特征在于，所述P型电极，进一步为，

所述P型焊盘位于所述透明导电层表面之上；

所述P型线电极位于所述透明导电层表面之上、或位于所述透明导电层及绝缘层之间、或部分位于所述绝缘层表面之上、或位于所述p型氮化物半导体层表面之上、或位于所述p型氮化物半导体层及透明导电层之间、或位于所述p型氮化物半导体层及绝缘层之间、或位于所述p型氮化物半导体层、绝缘层及透明导电层之间。