[发明专利]一种III族半导体发光器件的制作方法

权利要求书

1.一种III族半导体发光器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

衬底、缓冲层、n型氮化物半导体层、有源层和p型氮化物半导体层自下而上依次生长形成外延结构，所述外延结构的上表面为所述p型氮化物半导体层的上表面；

沉积透明导电层在p型氮化物半导体层上，所述透明导电层的厚度为10-300nm；并利用黄光蚀刻制程定义凸台图案，再蚀刻透明导电层、p型氮化物半导体层和有源层，而暴露n型氮化物半导体层，再用蚀刻溶液将透明导电层内缩，后去除光阻，得到凸台，且所述凸台的上表面有透明导电层；然后在温度为560℃的条件下退火3分钟；

沉积绝缘层在透明导电层的上表面及所述凸台的表面上，利用黄光剥离制程定义P型线电极和N型线电极的图案，再蚀刻绝缘层，沉积P型线电极和N型线电极后利用剥离制程，最后去除光阻，其中，所述P型线电极沉积于所述透明导电层上、或沉积于所述透明导电层及绝缘层之间，所述N型线电极沉积于所述n型氮化物半导体层上、或沉积于所述n型氮化物半导体层及绝缘层之间，所述N型线电极沉积在所述凸台上，所述N型线电极下方的有源层被蚀刻掉；

黄光剥离制程定义P型焊盘和N型焊盘的图案，同时沉积P型焊盘和N型焊盘后利用剥离制程，再去除光阻，制成圆片，其中，所述P型焊盘沉积于所述绝缘层上；所述N型焊盘沉积在所述有源层的上方，所述N型焊盘沉积于所述绝缘层上；

最后将所述圆片进行减薄、划片、裂片、测试、分选。

2.根据权利要求1所述的III族半导体发光器件的制作方法，其特征在于，所述P型焊盘和N型焊盘结构相同，进一步地，

所述P型焊盘和N型焊盘为由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、中间Cr层、第二Ni层以及Au层组成，或由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、中间Cr层、Pt层、Au层组成，或由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、第二Ni层、Pt层、Au层组成，或由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、Ti层、Pt层以及Au层组成，或由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、Ti层、Pt层、Ti层、Pt层、Ti层、Pt层以及Au层组成，或由内向外依次排列的第一Cr层、Al层、中间Cr层、Pt层、Au层组成，或由内向外依次排列的第一Cr层、Al层、第二Ni层、Pt层、Au层组成。

3.根据权利要求2所述的III族半导体发光器件的制作方法，其特征在于，所述P型线电极和N型线电极结构相同，进一步地，

所述P型线电极和N型线电极为由内向外依次排列的Ti层、Al层组成，或由内向外依次排列的Ti层、Al层、第二Ni层、Au层组成，或由内向外依次排列的中间Cr层、第二Ni层、Au层组成，或由内向外依次排列的中间Cr层、Pt层、Au层组成，或由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、第二Ni层、Pt层、Au层组成，或由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、中间Cr层、第二Ni层、Au层组成，或由内向外依次排列的第一Cr层、Al层、中间Cr层、Pt层、Au层组成，或由内向外依次排列的第一Cr层、Al层、第二Ni层、Pt层、Au层组成。

4.根据权利要求2或3所述的III族半导体发光器件的制作方法，其特征在于，所述P型焊盘、N型焊盘、P型线电极和N型线电极的结构，进一步为，所述第一Ni层的厚度为0.4～3nm，Al层的厚度为50～300nm，中间Cr层的厚度为10～300nm，第二Ni层的厚度为10～300nm，Au层的厚度为50～3000nm，Pt层的厚度为10～300nm，Ti层的厚度为10～300nm，第一Cr层的厚度为0.4～5nm。

5.根据权利要求4所述的III族半导体发光器件的制作方法，其特征在于，所述绝缘层，为三氧化二铝、二氧化硅、二氧化钛、五氧化二钽、五氧化二铌、氮氧化硅或氮化硅中的一种或两种以上制成的绝缘层。

6.根据权利要求1所述的III族半导体发光器件的制作方法，其特征在于，所述N型焊盘与所述P型焊盘高度相同。